申请/专利权人：杰华特微电子股份有限公司

申请日：2020-11-30

公开（公告）日：2022-10-25

公开（公告）号：CN112289790B

主分类号：H01L27/02

分类号：H01L27/02;H01L29/78;H01L21/336

优先权：

专利状态码：有效-授权

法律状态：2022.10.25#授权;2021.02.23#实质审查的生效;2021.01.29#公开

摘要：本发明提出了一种用于ESD防护电路的多插指GGNMOS器件，包括衬底；形成于衬底上的器件区，所述器件区内包括多个NMOS器件，位于所述器件区一侧的体接线区，位于所述器件区外部的条形多晶硅电阻，每个所述NMOS器件的栅极接在该条形多晶硅电阻的不同位置上，距离所述体接线区越近的NMOS器件的栅极接地电阻越大。通过让各个寄生NPN管的栅极接入该条形多晶硅电阻的不同位置从而获得不同的电阻，利用ESD脉冲下的RC耦合抬起栅极电压，提供不同的沟道电流进行补偿辅助触发GGNMOS，当发生静电放电时，可以使GGNMOS中的每个插指同时开启。本发明还提出了上述器件的制作方法。

主权项：1.一种用于ESD防护电路的多插指GGNMOS器件，其特征在于：包括衬底；形成于衬底上的器件区，所述器件区内包括多个NMOS器件，至少部分NMOS器件共用漏极，以及每个所述NMOS器件的栅极和源极接地，位于所述器件区一侧的体接线区，所述体接线区通过引出线接地，位于所述器件区外部的条形多晶硅电阻，每个所述NMOS器件的栅极接在该条形多晶硅电阻的不同位置上，从而使得每个所述NMOS器件的栅极具有不同的栅极接地电阻，且距离所述体接线区越近的NMOS器件的栅极接地电阻越大，当ESD脉冲来临时，所述栅极接地电阻与NMOS器件内部的寄生电容形成RC耦合，使越大的栅极接地电阻对栅极的提拉电压越大，从而对NMOS器件的启动电压进行的补偿越大，以均衡各个NMOS器件的启动时间。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 杰华特微电子股份有限公司 一种用于ESD防护电路的多指型GGNMOS器件及其制作方法

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