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【发明公布】一种微波场下富氧鼓吹制备纳米三氧化二锑的方法_云南民族大学_202211054403.5 

申请/专利权人:云南民族大学

申请日:2022-08-31

公开(公告)日:2022-11-01

公开(公告)号:CN115259221A

主分类号:C01G30/00

分类号:C01G30/00;B82Y40/00;B01J19/12

优先权:

专利状态码:有效-授权

法律状态:2023.10.31#授权;2022.11.18#实质审查的生效;2022.11.01#公开

摘要:本发明公开了一种微波场下富氧鼓吹制备纳米三氧化二锑的方法,属于纳米材料技术领域。所述制备方法的步骤包括:将粉碎过筛后的硫化锑矿平铺于焙烧容器内,通入氧气体积分数大于20%的富氧空气,微波场下进行焙烧,所述焙烧分为升温阶段和保温阶段,焙烧过程中持续利用富氧空气鼓吹,收集生成的纳米三氧化二锑。本发明提供的制备方法步骤简洁,设备要求低,焙烧温度要求低,制备的纳米三氧化二锑在尺寸在100~400nm之间,三氧化二锑最大挥发率达70%以上。

主权项:1.一种微波场下富氧鼓吹制备纳米三氧化二锑的方法,其特征在于,包括以下步骤:将粉碎过筛后的硫化锑矿平铺于焙烧容器内,通入氧气体积分数大于20%的富氧空气,微波场下进行焙烧,焙烧温度为600~800℃,所述焙烧分为升温阶段和保温阶段,焙烧过程中持续利用富氧空气鼓吹,收集生成的纳米三氧化二锑。

全文数据:

权利要求:

百度查询: 云南民族大学 一种微波场下富氧鼓吹制备纳米三氧化二锑的方法

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