申请/专利权人：昆明理工大学

申请日：2021-12-01

公开（公告）日：2022-11-25

公开（公告）号：CN115383119A

主分类号：B22F9/04

分类号：B22F9/04;B22F1/16;B22F1/07;C23C16/26;C22C30/00;B82Y40/00

优先权：

专利状态码：在审-实质审查的生效

法律状态：2022.12.13#实质审查的生效;2022.11.25#公开

摘要：本发明公开一种CNTs@HEAp复合增强体及其制备方法，属于复合材料增强体制备技术领域。本发明所述复合增强体由CNTs和HEAp两种增强相组成，其中CNTs质量百分比小于等于10wt.%，其余为HEAp。具体制备步骤为：利用高能球磨法制备FeCoNiCrMn高熵合金颗粒（HEAp）基础增强相；在其表面原位生长力学与理化性能优异的碳纳米管（CNTs），得到复合增强体（CNTs@HEAp）。该复合增强体选用HEAp颗粒作为基础增强相，解决传统陶瓷颗粒增强复合材料中陶瓷颗粒和基体变形不均匀以及界面结合较弱的问题；又可以使纳米级的CNTs在微米级HEAp颗粒的带动下，在基体中分散开来，充分发挥单根CNTs的强化效果，是一种性能优异的复合增强体。

主权项：1.一种CNTs@HEAp复合增强体，其特征在于：所述复合增强体包括HEAp及其上原位生长的CNTs；该复合增强体中CNTs的质量百分比小于等于10wt.%，其余为HEAp。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 昆明理工大学 一种CNT_s@HEA_p复合增强体及其制备方法

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