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【发明公布】PyC-SiC-HfC三界面相改性C/C-SiBCN双基体抗烧蚀复合材料制备方法_上海大学;上海大学绍兴研究院;尚辰(浙江绍兴)复合材料科技有限公司_202211067510.1 

申请/专利权人:上海大学;上海大学绍兴研究院;尚辰(浙江绍兴)复合材料科技有限公司

申请日:2022-09-01

公开(公告)日:2022-12-02

公开(公告)号:CN115417699A

主分类号:C04B41/89

分类号:C04B41/89

优先权:

专利状态码:在审-实质审查的生效

法律状态:2022.12.20#实质审查的生效;2022.12.02#公开

摘要:本发明公开一种PyC‑SiC‑HfC三界面相改性CC‑SiBCN双基体抗烧蚀复合材料的制备方法,包括PyC‑SiC‑HfC界面相制备和C‑SiBCN基体制备,具体包括:1利用CVD工艺在碳纤维预制体的纤维表面制备PyC+SiC界面相得到带有一定厚度界面相的预制体;2将步骤1制得的预制体在HfC聚合物‑二甲苯溶液中多次浸渍,制得PyC‑SiC‑HfC三界面相改性碳纤维预制体材料;3通过CVI工艺制备C基体;4通过PIP工艺制备SiBCN改性基体;5固化裂解;6重复步骤4和5,最终得到CPyC‑SiC‑HfCC‑SiBCN复合材料。本发明采用一种PyC‑SiC‑HfC的三界面相互补耐高温体系,利用PyC良好的片层结构、HfC良好的抗烧蚀性能和SiC良好的热膨胀系数匹配能力来作为CC‑SiBCN复合材料的界面相,以此来提高整个复合材料的抗烧蚀性能。

主权项:1.一种PyC-SiC-HfC三界面相改性CC-SiBCN双基体抗烧蚀复合材料的制备方法,其特征在于,包括PyC-SiC-HfC界面相制备和C-SiBCN基体制备,具体包括:1利用CVD工艺在碳纤维预制体的纤维表面制备PyC+SiC界面相得到带有一定厚度界面相的预制体;2将步骤1制得的预制体在HfC聚合物-二甲苯溶液中多次浸渍,制得PyC-SiC-HfC三界面相改性碳纤维预制体材料;3通过CVI工艺制备C基体;4通过PIP工艺制备SiBCN改性基体;5固化裂解;6重复步骤4和5,最终得到CPyC-SiC-HfCC-SiBCN复合材料。

全文数据:

权利要求:

百度查询: 上海大学;上海大学绍兴研究院;尚辰(浙江绍兴)复合材料科技有限公司 PyC-SiC-HfC三界面相改性C/C-SiBCN双基体抗烧蚀复合材料制备方法

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