申请/专利权人：华虹半导体(无锡)有限公司

申请日：2022-10-31

公开（公告）日：2023-01-03

公开（公告）号：CN115566017A

主分类号：H01L27/02

分类号：H01L27/02;H01L29/06;H01L29/08;H01L29/78

优先权：

专利状态码：在审-实质审查的生效

法律状态：2023.01.20#实质审查的生效;2023.01.03#公开

摘要：本发明提供一种GGNMOS结构，包括P型衬底，P型衬底中形成有N+有源区；位于N+有源区中的梳齿状的源极区和漏极区；位于P型衬底上表面且设置于源极区和漏极区之间的栅极结构；位于P型衬底中在栅极结构两侧的轻掺杂漏区；覆盖部分栅极结构和漏极区的SAB硅化层；形成于漏极区中的P型离子注入区，P型离子注入区与漏极区之间设有隔离结构；以及位于N+有源区外围的P+保护环。本发明通过在GGNMOS结构的漏极区中形成P型离子注入区，并与最中间的源极区短接，使得当ESD电压促使中间叉指GGNMOS导通时，大量的ESD电流进入最中间的源极区进而通过金属连线、漏极区的P型离子注入区注入到衬底，降低了其他叉指GGNMOS的导通电压，使导通均匀，提高了GGNMOS结构的ESD防护能力。

主权项：1.一种GGNMOS结构，其特征在于，所述GGNMOS结构为多叉指并联版图结构，包括：P型衬底，所述P型衬底中形成有N+有源区；位于所述N+有源区中的梳齿状的源极区和漏极区、位于所述P型衬底上表面且设置于所述源极区和漏极区之间的栅极结构、位于所述P型衬底中在所述栅极结构两侧的轻掺杂漏区、覆盖部分所述栅极结构和所述漏极区的SAB硅化层；形成于所述漏极区中的P型离子注入区，所述P型离子注入区与所述漏极区之间设有隔离结构；以及位于所述N+有源区外围的P+保护环。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 华虹半导体(无锡)有限公司 一种GGNMOS结构

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