申请/专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司

申请日：2022-08-22

公开（公告）日：2023-01-06

公开（公告）号：CN115579347A

主分类号：H01L23/498

分类号：H01L23/498;H01L23/18;H01L25/18

优先权：["20210831 US 17/462,066"]

专利状态码：在审-公开

法律状态：2023.01.06#公开

摘要：一种扇出封装，包括一重分布结构、多个半导体裸片以及一底部填充材料部分。半导体裸片包括通过焊料材料部分的各自一组而附接至重分布侧结合结构的各自一子集的裸片侧结合结构的各自一组。底部填充材料部分横向地环绕半导体裸片的重分布侧结合结构及半导体裸片的裸片侧结合结构。重分布侧结合结构的一子集不结合至半导体裸片的任何裸片侧结合结构，且被底部填充材料部分横向地环绕，且用以在底部填充材料部分的形成期间提供底部填充材料的均匀分布。

主权项：1.一种扇出封装，包括：一重分布结构，在一侧上包括多个第一金属结合结构；多个半导体裸片，包括通过多个凸块部分而附接至多个所述第一金属结合结构的多个第二金属结合结构；以及一底部填充材料部分，横向地环绕多个所述第一金属结合结构及多个所述半导体裸片的多个所述第二金属结合结构；其中多个所述第一金属结合结构的一子集包括至少一个虚设金属结合结构，被该底部填充材料部分环绕并通过该底部填充材料部分从多个所述半导体裸片及多个所述第二金属结合结构电性隔离。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 台湾积体电路制造股份有限公司 扇出封装

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