申请/专利权人：ASMIP私人控股有限公司

申请日：2023-10-18

公开（公告）日：2024-04-23

公开（公告）号：CN117917763A

主分类号：H01L21/768

分类号：H01L21/768

优先权：["20221021 US 63/418,197"]

专利状态码：在审-公开

法律状态：2024.04.23#公开

摘要：公开了用于填充衬底上的凹陷特征的方法。该方法可以包括：提供具有包括金属衬里层的凹陷特征的衬底，部分蚀刻金属衬里，随后采用蚀刻和循环沉积过程的组合用间隙填充材料填充凹陷特征。还公开了包括设置在凹陷特征中的间隙填充金属膜的半导体结构。

主权项：1.一种用于填充衬底上的凹陷特征的方法，该方法包括：提供包括凹陷特征的衬底；该凹陷特征包括：侧壁、底部表面和开口；以及至少设置在侧壁和底部表面上的金属衬里层；去除金属衬里层的至少一部分；通过循环沉积-蚀刻过程用钼金属部分地填充凹陷特征，其中循环沉积-蚀刻过程的单位循环包括：通过执行第一循环沉积过程的一个或多个单位循环，用钼金属部分地填充凹陷特征，其中与邻近凹陷特征的开口的每循环沉积速率相比，第一循环沉积过程邻近凹陷特征的底部表面以更大每循环沉积速率沉积钼金属；以及部分地蚀刻钼金属；并且通过执行第二循环沉积过程的一个或多个单位循环，用额外钼金属填充凹陷特征。

全文数据：

权利要求：

百度查询： ASMIP私人控股有限公司 填充衬底上的凹陷特征的方法及相关结构

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