申请/专利权人：弗萨姆材料美国有限责任公司

申请日：2019-07-01

公开（公告）日：2024-04-02

公开（公告）号：CN114634765B

主分类号：C11D1/68

分类号：C11D1/68;C09G1/02

优先权：["20180629 US 62/692,633","20180629 US 62/692,639","20190624 US 16/450,732"]

专利状态码：有效-授权

法律状态：2024.04.02#授权;2022.07.05#实质审查的生效;2022.06.17#公开

摘要：本发明提供了化学机械平面化CMP抛光组合物、方法和系统以减少氧化物沟槽凹陷并改善过抛光窗口稳定性。还提供了高且可调的氧化硅去除速率、低的氮化硅去除速率和可调的SiO2:SiN选择性。该组合物使用磨料如二氧化铈涂覆的二氧化硅颗粒及化学添加剂如麦芽糖醇、乳糖醇、麦芽三醇或组合作为氧化物沟槽凹陷减少添加剂的独特组合。

主权项：1.一种化学机械抛光CMP组合物，所述组合物由以下组成：磨料颗粒，其选自二氧化铈涂覆的无机氧化物颗粒，其选自二氧化铈涂覆的胶体二氧化硅、二氧化铈涂覆的高纯度胶体二氧化硅、二氧化铈涂覆的氧化铝、二氧化铈涂覆的二氧化钛、二氧化铈涂覆的氧化锆颗粒及其组合；二氧化铈涂覆的有机聚合物颗粒，其选自二氧化铈涂覆的聚苯乙烯颗粒、二氧化铈涂覆的聚氨酯颗粒、二氧化铈涂覆的聚丙烯酸酯颗粒及其组合；和其组合；化学添加剂；溶剂，其选自去离子DI水、蒸馏水和醇类有机溶剂；和任选地杀生物剂；和pH调节剂；其中所述组合物的pH为2至12；和所述化学添加剂在其分子结构中具有至少四个羟基官能团，如a所示， 其中R1、R2、R3、R4和R5选自：iR1至R5的组中的至少一个R是具有b中所示结构的多元醇分子单元： 其中m或n独立地选自1至5；并且R6、R7、R8和R9各自独立地选自氢、烷基、烷氧基、具有一个或多个羟基的有机基团、取代的有机磺酸或盐、取代的有机羧酸或盐、有机羧酸酯、有机胺及其组合；和iiR1至R5的组中的其它R各自独立地选自氢、烷基、烷氧基、具有一个或多个羟基的有机基团、取代的有机磺酸或盐、取代的有机羧酸或盐、有机羧酸酯、有机胺及其组合。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 弗萨姆材料美国有限责任公司 低氧化物沟槽凹陷化学机械抛光

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