申请/专利权人：住友电气工业株式会社

申请日：2022-06-09

公开（公告）日：2023-01-24

公开（公告）号：CN115642478A

主分类号：H01S5/183

分类号：H01S5/183

优先权：["20210720 JP 2021-119824"]

专利状态码：在审-公开

法律状态：2023.01.24#公开

摘要：本发明提供一种垂直腔面发射激光器，其具备第一分布式布拉格反射器、有源层和第二分布式布拉格反射器。第一分布式布拉格反射器、有源层以及第二分布式布拉格反射器沿第一轴的方向依次排列。第二分布式布拉格反射器包含半导体区以及高电阻区。高电阻区具有比半导体区的电阻高的电阻。第一轴通过半导体区。高电阻区包围半导体区。在包含第一轴的截面中，高电阻区具有以高电阻区的内径在第一轴的方向上随着远离有源层而变大的方式在相对于第一轴倾斜的方向上延伸的内缘。

主权项：1.一种垂直腔面发射激光器，其中，所述垂直腔面发射激光器具备第一分布式布拉格反射器、有源层和第二分布式布拉格反射器，所述第一分布式布拉格反射器、所述有源层以及所述第二分布式布拉格反射器沿第一轴的方向依次排列，所述第二分布式布拉格反射器包含半导体区以及高电阻区，所述高电阻区具有比所述半导体区的电阻高的电阻，所述第一轴通过所述半导体区，所述高电阻区包围所述半导体区，在包含所述第一轴的截面中，所述高电阻区具有以所述高电阻区的内径在所述第一轴的方向上随着远离所述有源层而变大的方式在相对于所述第一轴倾斜的方向上延伸的内缘。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 住友电气工业株式会社 垂直腔面发射激光器以及垂直腔面发射激光器的制造方法

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