申请/专利权人：拓尔微电子股份有限公司

申请日：2022-08-31

公开（公告）日：2023-02-17

公开（公告）号：CN218498074U

主分类号：H01L29/78

分类号：H01L29/78;H01L23/48;H01L21/336

优先权：

专利状态码：有效-授权

法律状态：2023.02.17#授权

摘要：本实用新型提出一种NLDMOS功率管，NLDMOS功率管通过将多条第一金属和多条第二金属采用斜角设置并通过通孔对应连接，斜角设置时，一方面增加了连接源区和漏区的第一金属的叉指的并联数目，另一方面，第一金属和第二金属重叠面积增加，第一金属和第二金属之间的通孔可设置更多，即源区和漏区之间的通孔可设置更多，增加了源区到漏区之间的金属通路，源区和漏区之间的电流并行通过，改善电流拥堵，提高了电流均匀性以及NLDMOS功率管的可靠性。

主权项：1.一种NLDMOS功率管，其特征在于，包括：形成于半导体衬底的漂移区和P阱，所述漂移区和所述P阱间隔设置；分别于所述漂移区和所述P阱上形成的源区和漏区；分别与所述源区和所述漏区连接的第一金属层，所述第一金属层包括沿第一方向等间距平行设置的多条第一金属，多条所述第一金属按照预设条数间隔等分连接至所述源区和所述漏区；层叠于所述第一金属层上的第二金属层，所述第二金属层包括沿第二方向等间距平行设置的多条第二金属，多条所述第二金属与所述多条所述第一金属通过通孔对应连接，其中，所述第一方向与所述第二方向呈斜角设置。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 拓尔微电子股份有限公司 NLDMOS功率管

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