申请/专利权人：西安紫光国芯半导体有限公司

申请日：2021-08-26

公开（公告）日：2023-03-03

公开（公告）号：CN115729600A

主分类号：G06F8/654

分类号：G06F8/654

优先权：

专利状态码：在审-实质审查的生效

法律状态：2023.03.21#实质审查的生效;2023.03.03#公开

摘要：本发明提供一种NVDIMM升级方法、装置、电子设备以及存储介质，该方法接收升级指令，所述升级指令至少携带指示信息和地址信息，所述指示信息包括指示对非易失性双列直插式内存模块NVDIMM进行升级的信息，所述地址信息包括存储数据包的地址的信息；基于所述升级指令从第一存储器中获取数据包，所述第一存储器为所述NVDIMM中的易失性存储器；利用所述数据包进行升级。本申请的方法，预先将用于升级的数据包存储在第一存储器中，在进行升级时，直接获取，能够提高升级速度。

主权项：1.一种NVDIMM升级方法，其特征在于，包括：接收升级指令，所述升级指令至少携带指示信息和地址信息，所述指示信息包括指示对非易失性双列直插式内存模块NVDIMM进行升级的信息，所述地址信息包括存储数据包的地址的信息；基于所述升级指令从第一存储器中获取数据包，所述第一存储器为所述NVDIMM中的易失性存储器；利用所述数据包进行升级。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 西安紫光国芯半导体有限公司 一种NVDIMM升级方法、装置、电子设备以及计算机存储介质

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