申请/专利权人：烟台泰和新材高分子新材料研究院有限公司

申请日：2023-02-13

公开（公告）日：2023-03-14

公开（公告）号：CN115785505A

主分类号：C08J5/18

分类号：C08J5/18;C08L77/10;C08G69/32;C08G69/04

优先权：

专利状态码：有效-授权

法律状态：2023.04.28#授权;2023.03.31#实质审查的生效;2023.03.14#公开

摘要：本发明公开了一种低介电聚间苯二甲酰间苯二胺薄膜及其制备方法，属于电子绝缘薄膜领域，通过溶液聚合制备含氟基和萘环的聚间苯二甲酰间苯二胺铸膜液，之后经过流延成形、水洗、烘干、拉伸及热定型处理，得到低介电聚间苯二甲酰间苯二胺薄膜。该薄膜具有优异的热力学性能和电绝缘性，其中介电常数Dk≤2.9，介电损耗Df≤0.006；并且节省原料，降低生产成本，易于实现工业化生产，能够应用在微电子领域集成电路中解决信号迟滞的问题。

主权项：1.一种低介电聚间苯二甲酰间苯二胺薄膜的制备方法，其特征在于，包括，S1，将间苯二胺与含氟二胺按预设比例在有机溶剂中溶解后，分批加入间苯二甲酰氯进行缩聚反应，在反应过程中添加含萘环化合物调控分子结构，反应结束后加入中和剂处理，得到窄分子量分布的聚间苯二甲酰间苯二胺铸膜液；S2，所述的聚间苯二甲酰间苯二胺铸膜液经过流延成形、水洗、烘干、拉伸及热定型处理，得到低介电聚间苯二甲酰间苯二胺薄膜。

全文数据：

权利要求：

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