申请/专利权人：成都宏科电子科技有限公司

申请日：2020-07-03

公开（公告）日：2023-03-21

公开（公告）号：CN111943673B

主分类号：C04B35/50

分类号：C04B35/50;C04B35/468;C04B35/64

优先权：

专利状态码：有效-授权

法律状态：2023.03.21#授权;2021.08.10#实质审查的生效;2020.11.17#公开

摘要：本发明属于电子陶瓷材料技术领域，提供了一种低温烧结BNT微波介质材料及其制备方法。该BNT微波介质材料，其原料包括主晶相、改性添加剂和烧结助剂。该BNT微波介质材料能够在保留其在高温烧结时候的电学性能的同时，大幅度的降低其烧结温度，从而极大地降低能耗并能够实现与低钯的银浆料甚至纯银浆料共烧，从而节约生产成本。该制备方法的制备过程简单，整个过程耗能不高，成本较低、易于实现工业化生产，可快捷、稳定地实现从材料配方向微波介质材料产品批量生产转化。

主权项：1.一种低温烧结BNT微波介质材料，其特征在于：其原料包括主晶相、改性添加剂和烧结助剂；所述主晶相的化学式为Ba6-3XNd8+2XTi18O54（0.75≤X≤1）；所述改性添加剂包括第一Bi2O3和SiO2；所述烧结助剂包括第二Bi2O3和B2O3；所述主晶相的摩尔百分比为65-75mol%、所述改性添加剂的摩尔百分比为7.9-20mol%、所述烧结助剂的摩尔百分比为5-16mol%；所述第一Bi2O3占所述BNT微波介质材料的摩尔百分比为5-11mol%，所述SiO2占所述BNT微波介质材料的摩尔百分比为2-8mol%；所述第二Bi2O3占所述BNT微波介质材料的摩尔百分比为1-3mol%，所述B2O3占所述BNT微波介质材料的摩尔百分比为2.5-7mol%；所述烧结助剂还包括BaO；所述BaO占所述BNT微波介质材料的摩尔百分比小于或等于1mol%；所述烧结助剂还包括TiO2；所述TiO2占所述BNT微波介质材料的摩尔百分比小于或等于2mol%；所述烧结助剂还包括ZnO；所述ZnO占所述BNT微波介质材料的摩尔百分比小于或等于3mol%。

全文数据：

权利要求：

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