申请/专利权人：广东先导微电子科技有限公司

申请日：2021-12-23

公开（公告）日：2023-03-24

公开（公告）号：CN114232098B

主分类号：C30B29/40

分类号：C30B29/40;C30B33/02;C30B11/00;C30B25/18

优先权：

专利状态码：有效-授权

法律状态：2023.03.24#授权;2022.04.12#实质审查的生效;2022.03.25#公开

摘要：本发明属于半导体材料加工技术领域，公开了一种降低砷化铟表面点子数的退火方法。将砷化铟晶体采用多线切割获得单晶片，磨边、清洗、干燥后获得干净的砷化铟单晶晶片，然后将其有序、间隔地竖直放置在清洗干燥后的石英样品架上，再将石英样品架水平放置在石英管内；将石英管抽真空后烧结封口，然后放入水平退火炉中退火，其包含升温、恒温和降温阶段，所述升温阶段是指由室温升至840～856℃，所述恒温阶段是指在840～856℃保温30～60h，所述降温阶段是指冷却至室温。本发明方法可以有效减少或消除砷化铟表面的残余应力，减少晶片表面的点子数。

主权项：1.一种降低砷化铟表面点子数的退火方法，其特征在于，包括如下步骤：（1）将砷化铟晶体采用多线切割获得单晶片，磨边、清洗、干燥后获得干净的砷化铟单晶晶片；（2）将石英管和石英样品架用酸清洗后用去离子水冲洗干净，然后放入烘干箱中烘干；（3）将砷化铟单晶晶片有序、间隔地竖直放置在干净的石英样品架上，然后再将石英样品架水平放置在石英管内；（4）将石英管抽真空后烧结封口；（5）将封口的石英管放入水平退火炉中退火，其包含升温、恒温和降温阶段，所述升温阶段是指由室温升至840~856℃，所述恒温阶段是指在840~856℃保温30~60h，所述降温阶段是指冷却至室温；所述升温阶段是指先以升温速率为100~120℃h快速升温至550℃，然后以升温速率为30~60℃h慢速升温至840~856℃；所述降温阶段是指先以降温速率为30~60℃h慢速降温至550℃，然后以降温速率为100~120℃h快速降温至室温，升温速率与降温速率一一对应。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 广东先导微电子科技有限公司 一种降低砷化铟表面点子数的退火方法

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