申请/专利权人：中山大学

申请日：2022-04-29

公开（公告）日：2023-03-24

公开（公告）号：CN114859463B

主分类号：G02B6/12

分类号：G02B6/12;G02B6/13;G02B6/136

优先权：

专利状态码：有效-授权

法律状态：2023.03.24#授权;2022.08.23#实质审查的生效;2022.08.05#公开

摘要：本发明提出了一种片上微腔超声增敏掏空芯片及其制备方法，涉及片上微腔超声探测结构设计的技术领域，从当前片上微腔超声探测芯片本身出发，沿硅衬底层的下底面向硅衬底层内部刻蚀掏空出一个腔体，降低了传统片上微腔超声探测结构对微环谐振腔的结构限制，提升了微环谐振腔扰动的自由度，增大了微环谐振腔的形变量及响应灵敏度，提高了微环谐振腔的应变能力，从而在片上微腔超声探测芯片用于超声探测时，提高了声探测灵敏度。

主权项：1.一种片上微腔超声增敏掏空芯片，其特征在于，包括：硫系材料波导层（1）、二氧化硅层（2）及硅衬底层（3），所述硫系材料波导层（1）包括总线波导（11）及微环谐振腔（12），微环谐振腔（12）与总线波导（11）耦合，耦合后的微环谐振腔（12）与总线波导（11）设置于二氧化硅层（2）上，二氧化硅层（2）设置于硅衬底层（3）的上底面，沿硅衬底层（3）的下底面向硅衬底层（3）内部，刻蚀掏空出一个腔体（31），所述腔体（31）为圆柱腔，腔体（31）的半径长度为微环谐振腔（12）半径长度的1.5~4倍，在腔体（31）的半径长度由1.5*R向4*R增加时，随着腔体（31）半径长度的增加，微环谐振腔（12）的折射率灵敏度增大，R为微环谐振腔的半径，微环谐振腔（12）的折射率灵敏度与腔体（31）半径长度的关系满足： y=2.3×10^-6x2+2.783×10^-5x-0.001767其中，x表示腔体（31）的半径长度；y表示微环谐振腔（12）的折射率灵敏度；腔体（31）的底面圆心相对于微环谐振腔（12）圆心的偏移量不超过2.5*R，R为微环谐振腔（12）的半径。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 中山大学 一种片上微腔超声增敏掏空芯片及其制备方法

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