申请/专利权人：英特尔公司

申请日：2022-08-30

公开（公告）日：2023-04-07

公开（公告）号：CN115940930A

主分类号：H03K19/0185

分类号：H03K19/0185;H03K19/003

优先权：["20210923 US 17/482,912"]

专利状态码：在审-公开

法律状态：2023.04.07#公开

摘要：本公开涉及针对薄栅极技术的可扩展的耐EOS和老化的电平移位器。一种电平移位器电路包括一个或多个薄栅极晶体管，这些薄栅极晶体管具有分别耦合到电源节点和基准节点的源极端子和漏极端子，其中，这一个或多个薄栅极晶体管具有电气过载EOS阈值电压，该电气过载EOS阈值电压比施加在这一个或多个薄栅极晶体管的两个端子之间的电源电压低。该电路还包括耦合到EOS保护电路的PFET下拉电路，以基于PFET的阈值电压将这一个或多个薄栅极晶体管的至少两个端子之间的电压差限制为低于EOS阈值电压的电压。

主权项：1.一种电平移位器电路，包括：多个p沟道场效应晶体管PFET，具有分别耦合到电源节点和基准节点的源极端子和漏极端子，其中，所述多个PFET具有电气过载EOS阈值电压，所述EOS阈值电压比所述电源节点和所述基准节点之间的电压差低；以及PFET下拉电路，耦合到所述多个PFET中的第一PFET，以基于PFET阈值电压将所述第一PFET的至少两个端子之间的电压差限制为低于所述EOS阈值电压的电压。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 英特尔公司 针对薄栅极技术的可扩展的耐EOS和老化的电平移位器

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