申请/专利权人：西安派瑞功率半导体变流技术股份有限公司

申请日：2023-01-11

公开（公告）日：2023-04-14

公开（公告）号：CN115966465A

主分类号：H01L21/332

分类号：H01L21/332;H01L21/285;H01L21/3213;H01L21/56

优先权：

专利状态码：在审-实质审查的生效

法律状态：2023.05.02#实质审查的生效;2023.04.14#公开

摘要：本发明涉及GCT芯片梳条修理工艺方法，先在梳条上蒸一层铝层A，提高梳条与门极区的纵向高度，增加纵向阴极梳条与门极区隔离间隔。然后在梳条和门极区同时再蒸一层铝层B，提高了门极区和梳条图形加工质量，有利于提高芯片的性能；给芯片的上表面覆盖一层光敏聚酰亚铵绝缘保护材料层；然后针对极个别不合格梳条，除了铲除铝层外，还增加了研磨该梳条的工艺方法，使该梳条高度与门极区电极铝层相平；之后在不合格梳条上涂绝缘保护材料，绝缘该梳条，使之不与阴极钼片接触，屏蔽该失效梳条带来的负面影响。使用该工艺方法可以挽救大量芯片，使成品率显著提高。实践还证明，芯片性能未受影响情况下，使用本发明成品率至少提高30％。

主权项：1.一种GCT芯片阴极梳条修理工艺方法，其特征在于：掺杂完Si芯片为基础，依次经过下列步骤：1首先给梳条1蒸一层铝层A5，目的是提高梳条1与门极区2之间的纵向高度；2同时给门极区2和梳条1再蒸一层铝层B6，经光刻刻蚀技术将门极区2铝层和阴极梳条1铝层间环形PN结3刻蚀出来，形成门极区2铝层和阴极梳条1铝层隔离间隔，并形成门极区电极铝层B6和阴极梳条1电极铝层A5+铝层B6；3给芯片的上表面覆盖一层光敏聚酰亚铵绝缘保护材料层4，经光刻技术，刻蚀出集成门极G电极、阴极梳条1电极，将阴极梳条1铝层和集成门极铝层G裸露，其余部分则被光敏聚酰亚铵绝缘保护材料层4覆盖，并使光敏聚酰亚铵绝缘保护材料层4保护门阴极环形PN结3和门极区铝层B6，一方面保护门阴极环形PN结3表面绝缘于外界，另一方面使门极区铝层B6与阴极梳条1铝层A5+铝层B6纵向上除高度差悬空而隔离外，还增加了一层绝缘保护材料层的隔离，更进一步增强了纵向隔离效果；4打点测试每一个梳条1的阻断和导通特性，并标出不合格梳条8，给不合格梳条8去铝层A5和铝层B6，研磨不合格梳条8的硅高度,使该不合格梳条8的高度与蒸铝前门极区高度相平；5在去掉铝层和研磨掉硅的不合格梳条8上涂光敏聚酰亚铵绝缘保护材料层4；至此，完成了GCT芯片阴极梳条修理工艺。

全文数据：

权利要求：

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