申请/专利权人：西安电子科技大学

申请日：2024-01-25

公开（公告）日：2024-04-16

公开（公告）号：CN117888134A

主分类号：C25B11/087

分类号：C25B11/087;C25B11/059;C25B11/052;C25B11/077;C25B1/04

优先权：

专利状态码：在审-公开

法律状态：2024.04.16#公开

摘要：一种硅基光电阴极及其制备方法，光电阴极包括依次设置的p‑Si基底层、Cu2O层和保护层；p‑Si基底层与Cu2O层构造p‑pZ型异质结；保护层为苯乙炔铜，包覆在Cu2O表面形成保护层；制备方法为，p型硅片表面制绒，制备具有纳米金字塔形貌的p型硅片，在得到的p型硅片上电沉积Cu2O层，得到p‑SiCu2O，在得到的p‑SiCu2O上利用光辅助制备苯乙炔铜层，得到硅基光电阴极；本发明可以有效抑制Cu2O的光腐蚀，显著提高了Cu2O光电阴极的光电化学稳定性，具有较高的可见光响应和较高的电子‑空穴分离效率，实用性高。

主权项：1.一种硅基光电阴极，其特征在于，包括依次设置的p-Si基底层、Cu2O层和保护层；所述p-Si基底层与Cu2O层构造p-pZ型异质结；所述保护层为苯乙炔铜，包覆在Cu2O表面形成保护层。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 西安电子科技大学 一种硅基光电阴极及其制备方法

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