申请/专利权人:苏州迈为科技股份有限公司
申请日:2022-10-31
公开(公告)日:2024-04-23
公开(公告)号:CN115537747B
主分类号:C23C14/35
分类号:C23C14/35;H01J37/34
优先权:
专利状态码:有效-授权
法律状态:2024.04.23#授权;2023.01.20#实质审查的生效;2022.12.30#公开
摘要:本发明涉及真空溅射镀膜技术领域,尤其涉及一种磁控溅射阴极装置及磁控溅射设备。磁控溅射阴极装置包括靶材筒组件、磁棒组件及汇聚磁铁组件,靶材筒组件位于真空腔室内,磁棒组件位于靶材筒组件的内部,汇聚磁铁组件设置在靶材筒组件靠近真空腔室侧壁的一侧,汇聚磁铁组件产生的磁力线能够朝靠近待镀膜基片的方向挤压磁棒组件产生的磁力线,避免溅射的原子沉积到真空腔室的侧壁上,使更多的原子沉积到待镀膜基片上。磁控溅射设备通过应用上述磁控溅射阴极装置,减少了靶材的损耗,降低了生产成本,提升了产品良率,延长了磁控溅射设备的维护周期,提高了设备的开机效率。
主权项:1.一种磁控溅射阴极装置,其特征在于,包括:靶材筒组件1,位于真空腔室300内;磁棒组件2,位于所述靶材筒组件1的内部;以及汇聚磁铁组件3,设置在所述靶材筒组件1靠近所述真空腔室300侧壁的一侧,所述汇聚磁铁组件3和所述磁棒组件2相对所述靶材筒组件1的圆心高低偏移的方向一致,且所述汇聚磁铁组件3的中心与所述靶材筒组件1的圆心之间的高度差为H,并且0mm≤H≤70mm,所述汇聚磁铁组件3产生的磁力线能够朝靠近待镀膜基片200的方向挤压所述磁棒组件2产生的磁力线。
全文数据:
权利要求:
百度查询: 苏州迈为科技股份有限公司 一种磁控溅射阴极装置及磁控溅射设备
免责声明
1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息,力求客观、公正,但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解,仅供参考使用,不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。