申请/专利权人：华南师范大学

申请日：2021-09-16

公开（公告）日：2023-05-02

公开（公告）号：CN113884031B

主分类号：G01B11/30

分类号：G01B11/30;G01B11/06;G01B11/24;H01L21/66

优先权：

专利状态码：有效-授权

法律状态：2023.05.02#授权;2022.01.21#实质审查的生效;2022.01.04#公开

摘要：本发明涉及一种基于电子古斯汉欣位移的界面特性测量方法，包括：S1：选取不同界面特性的定标样品；S2：将电子波包入射所述多个定标样品，在其界面上进行反射并产生古斯汉欣位移现象；S3：测量步骤S2界面反射后的不同输出位置和或电子古斯汉欣位移；S4：建立界面特性与输出位置和或电子古斯汉欣位移的对应关系；S5：将电子波包以相同的初始状态入射待测器件，测量在其界面反射后的输出位置和或电子古斯汉欣位移；S6：将步骤S5测得的输出位置和或电子古斯汉欣位移代入步骤S4建立的对应关系，确定所述待测器件的界面特性。本发明可测量固体内部界面，且可测量纳米级别的界面，用于检验批量生产的纳米器件，思路简单，易操作。

主权项：1.一种基于电子古斯汉欣位移的界面特性测量方法，其特征在于包括如下步骤：S1：选取多个已知的具备不同界面特性的纳米器件作为定标样品；S2：将电子波包以初始状态入射所述多个定标样品，在所述多个定标样品的界面上进行反射并产生古斯汉欣位移现象；S3：测量步骤S2的电子波包在所述多个定标样品的界面反射后的不同输出位置和或电子古斯汉欣位移；S4：根据所述多个定标样品的不同界面特性与步骤S3测得的不同输出位置和或电子古斯汉欣位移，建立界面特性与输出位置和或电子古斯汉欣位移的对应关系；S5：将电子波包以与步骤S2相同的初始状态入射待测器件，测量电子波包在所述待测器件的界面反射后的输出位置和或电子古斯汉欣位移；S6：根据步骤S4建立的对应关系以及步骤S5测得的输出位置和或电子古斯汉欣位移，得出所述待测器件的界面特性。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 华南师范大学 一种基于电子古斯汉欣位移的界面特性测量方法

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