申请/专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司

申请日：2018-03-06

公开（公告）日：2023-05-23

公开（公告）号：CN110741487B

主分类号：H10N50/10

分类号：H10N50/10;H10N50/85;H10N50/01

优先权：["20170403 US 15/477,288"]

专利状态码：有效-授权

法律状态：2023.05.23#授权;2020.02.25#实质审查的生效;2020.01.31#公开

摘要：公开一种具有垂直磁异向性的磁穿隧接面PMAMTJ，其中自由层14与隧道位障13具有界面20以及与氧化物层15具有第二界面21。晶格匹配层16‑1邻接氧化物层相对于自由层的相反侧，并且包含CoxFeyNizLwMv或CoxFeyNizLw，其中L是B、Zr、Nb、Hf、Mo、Cu、Cr、Mg、Ta、Ti、Au、Ag或P之一，且M是Mo、Mg、Ta、Cr、W或V之一，x+y+z+w+v＝100原子百分比，x+y0，且v和w各自0。晶格匹配层在约400℃的退火期间成长体心立方结构，借此促进体心立方结构在氧化物层中的成长。结果，增强并维持自由层垂直磁异向性以产生改善的热稳定性。

主权项：1.一种磁性存储元件，形成于一第一电极和一第二电极之间，包括：a一隧道位障层，形成于一参考层和一自由层之间；b该自由层具有一第一表面，该自由层与该隧道位障层形成一第一界面，借此促进该自由层中的垂直磁异向性；c一氧化物层，与该自由层在该自由层的一第二表面形成一第二界面，该第二表面相对于该隧道位障层位于该自由层的相反侧，且其中该氧化物层和该自由层两者皆具有体心立方结构，该体心立方结构增强该自由层中的垂直磁异向性；以及d一第一晶格匹配层，邻接该氧化物层相对于该第二界面的相反侧，其中该第一晶格匹配层包括磁性材料，该磁性材料是CoXFeYNiZLW合金，其中L是非磁性元素，x+y+z+w＝100原子百分比，x+y0，且w0，且其中该第一晶格匹配层的体心立方结构有助于该氧化物层中的该体心立方结构的成长。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 台湾积体电路制造股份有限公司 对于具有垂直磁异向性的磁性装置应用在高温退火后保持矫顽磁场

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