申请/专利权人：东方电气长三角(杭州)创新研究院有限公司;东方电气集团科学技术研究院有限公司

申请日：2023-12-28

公开（公告）日：2024-04-23

公开（公告）号：CN117917946A

主分类号：H10K71/15

分类号：H10K71/15;H10K71/40;H10K30/50

优先权：

专利状态码：在审-公开

法律状态：2024.04.23#公开

摘要：本发明公开了一种钙钛矿材料层的常温快速涂布、低温退火方法，涉及钙钛矿太阳能电池技术领域，包括下述步骤：清洗ITO、FTO导电玻璃；将PTAA溶解到氯仿中，得到混合溶液；再将混合溶液涂布到导电玻璃的表面，得到空穴传输层沉积完成；制备钙钛矿材料前驱体溶液；再将该前驱体溶液涂布到空穴传输层的表面，吹干，最后以50~70℃退火处理5~20min，沉积完成得到的钙钛矿膜层；再将PCBM材料沉积到钙钛矿膜层上，得到电子传输层；最后将金属材料沉积电子传输层膜层上，得到金属电极膜层，采用以减少高温退火对钙钛矿材料造成钙钛矿晶体分解、结晶形态差等不良影响，能制备本方法得到形态学更好的钙钛矿材料晶体层。

主权项：1.一种钙钛矿材料层的常温快速涂布、低温退火方法，其特征在于，包括下述步骤：S1、清洗ITO、FTO导电玻璃；S2、将PTAA溶解到氯仿中，得到质量浓度为5~25g100mL的混合溶液；S3、再将步骤S2中的混合溶液涂布到步骤S1中清洗后的ITO、FTO导电玻璃的表面，得到100~300nm厚的PTAA薄膜，空穴传输层沉积完成；S4、取苯乙醛、三甲基乙酸乙酯以一定的比例配置成主溶剂，再按摩尔比为5：5~6：1~1.2的比例取FAI、PbI2、DMSO，并将FAI、PbI2和DMSO溶解到主溶剂中，得到Pb摩尔浓度为0.8~1.1M的溶液，得到钙钛矿材料前驱体溶液；S5、再将步骤S4中的溶液涂布到步骤S3的已沉积的空穴传输层的表面，然后用氮气刀吹干，最后以50~70℃退火处理5~20min，沉积完成后的钙钛矿膜层厚度400～1500nm；S6、再将PCBM材料沉积到步骤S5中沉积完成的钙钛矿膜层上，形成10~100nm厚度的PCBM膜层，即电子传输层；S7、用热沉积法，将金属材料沉积到S6步骤中沉积完成的电子传输层膜层上，形成金属电极膜层。

全文数据：

权利要求：

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