申请/专利权人：三星电子株式会社;马克斯-普朗克科学促进协会

申请日：2022-11-23

公开（公告）日：2023-05-26

公开（公告）号：CN116171051A

主分类号：H10B61/00

分类号：H10B61/00;H10N50/10;H10N50/01

优先权：["20211125 KR 10-2021-0164209"]

专利状态码：在审-公开

法律状态：2023.05.26#公开

摘要：本公开提供了磁存储器件。一种磁存储器件可以包括在第一方向上延伸的磁轨。磁轨可以包括在第一方向上延伸的下磁性层、在下磁性层上在第一方向上延伸的上磁性层、在下磁性层和上磁性之间在第一方向上延伸的间隔物层以及穿透上磁性层并在间隔物层上的非磁性图案。非磁性图案具有与上磁性层的第一部分接触的第一结表面以及与上磁性层的第二部分接触的第二结表面。下磁性层和上磁性层通过间隔物层而彼此反铁磁耦合。

主权项：1.一种磁存储器件，包括：在第一方向上延伸的磁轨，其中所述磁轨包括：下磁性层，在所述第一方向上延伸；上磁性层，在所述第一方向上延伸并在所述下磁性层上；间隔物层，在所述第一方向上延伸并在所述下磁性层和所述上磁性层之间；以及非磁性图案，穿透所述上磁性层并在所述间隔物层上，所述非磁性图案包括与所述上磁性层的第一部分接触的第一结表面以及与所述上磁性层的第二部分接触的第二结表面，其中所述下磁性层和所述上磁性层通过所述间隔物层而彼此反铁磁耦合。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 三星电子株式会社;马克斯-普朗克科学促进协会 磁存储器件

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