申请/专利权人：上海华力微电子有限公司

申请日：2021-11-25

公开（公告）日：2023-05-26

公开（公告）号：CN116165839A

主分类号：G03F1/70

分类号：G03F1/70;G03F7/20

优先权：

专利状态码：在审-公开

法律状态：2023.05.26#公开

摘要：本发明公开了一种拼接产品的图形拼接方法，包括：步骤一、提供拼接产品的芯片设计版图；步骤二、根据芯片设计版图设计光罩版图，包括：步骤21、设置单元光罩图形；步骤22、将单元区之间的相邻区域的逻辑图形或切割道图形合并在一起来设置对应的周边光罩图形；步骤23、将各相同的周边光罩图形合并为一个；步骤24、将单元光罩图形和各周边光罩图形组成光罩版图并形成在光罩上；步骤三、进行重复曝光形成拼接产品，包括：在单元区采用单元光罩图形进行重复曝光直至定义出单元区的所有单元电路图形；在周边区采用对应的周边光罩图形进行重复曝光在芯片上形成各逻辑图形和各切割道图形。本发明能减少光罩图形的数量、减少曝光次数和曝光时间。

主权项：1.一种拼接产品的图形拼接方法，其特征在于，包括如下步骤：步骤一、提供拼接产品的芯片设计版图，将所述芯片设计版图分割为单元区和周边区，所述单元区由多个单元电路图形重复排列而成；所述周边区设置有逻辑区和切割道，所述逻辑区包括有逻辑图形，所述切割道包括有切割道图形；所述拼接产品的相邻芯片直接间隔有所述切割道；步骤二、根据所述芯片设计版图设计光罩版图，包括：步骤21、设置用于定义所述单元电路图形的单元光罩图形；步骤22、将所述拼接产品的相邻芯片的所述单元区之间的相邻区域的所述逻辑图形或所述切割道图形合并在一起来设置对应的周边光罩图形；步骤23、比较位于所述单元区的对称位置处的所述周边光罩图形是否相同，将各相同的所述周边光罩图形合并为一个；步骤24、将所述单元光罩图形和各所述周边光罩图形组成光罩版图并形成在光罩上；步骤三、进行重复曝光形成所述拼接产品，包括：在所述单元区采用所述单元光罩图形进行重复曝光直至在所述芯片上定义出所述单元区的所有单元电路图形；在所述周边区采用对应的所述周边光罩图形进行重复曝光在所述芯片上形成各所述逻辑图形和各所述切割道图形；在相邻芯片的所述单元区之间的相邻区域中，在一个所述芯片上定义出所述相邻区域的各所述逻辑图形和各所述切割道图形后，在后续所述芯片的曝光工艺中不再对已经曝光的所述相邻区域进行曝光。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 上海华力微电子有限公司 拼接产品的图形拼接方法

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