申请/专利权人：微新创研究所股份有限公司

申请日：2022-11-15

公开（公告）日：2023-05-30

公开（公告）号：CN116193968A

主分类号：H10N30/80

分类号：H10N30/80;H10N30/01

优先权：["20211126 JP 2021-191779"]

专利状态码：在审-公开

法律状态：2023.05.30#公开

摘要：课题：提供膜结构体及其制造方法，该膜结构体具有形成于衬底上的缓冲膜，能够使形成于缓冲膜上的金属膜或者压电体膜的取向方向一致为规定方向。解决手段：膜结构体10具有衬底11和形成于衬底11上的缓冲膜12。衬底11为SOI衬底，其包含：由36°～48°旋转Y切割的Si衬底或者36°～48°旋转Y切割的Si衬底构成的基体、基体上的绝缘层、和由绝缘层上的Si膜构成的SOI层，SOI层的上表面的晶面的密勒指数与基体的上表面的晶面的密勒指数相同。缓冲膜12包含在衬底11上外延生长的ZrO2。

主权项：1.一种膜结构体，其具有：衬底、和形成于所述衬底上的缓冲膜，所述衬底为SOI衬底，所述SOI衬底包含：由36°～48°的旋转Y切割Si衬底、或者36°～48°的旋转Y切割Si衬底形成的基体；所述基体上的绝缘层；和由所述绝缘层上的Si膜形成的SOI层，所述SOI层的上表面的晶面的密勒指数，与所述基体的上表面的晶面的密勒指数相同，所述缓冲膜包含在所述衬底上外延生长的ZrO2。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 微新创研究所股份有限公司 膜结构体及其制造方法

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