申请/专利权人：昆明物理研究所

申请日：2023-02-23

公开（公告）日：2023-06-23

公开（公告）号：CN116314445A

主分类号：H01L31/18

分类号：H01L31/18;H01L31/109;H01L31/032;B82Y15/00;B82Y30/00;B82Y40/00;C23C14/04;C23C14/35;C23C14/06;C23C14/16

优先权：["20230105 CN 2023100108439"]

专利状态码：在审-实质审查的生效

法律状态：2023.07.11#实质审查的生效;2023.06.23#公开

摘要：SnTen‑Si紫外至短波红外光伏探测器及其制备方法，涉及光伏探测领域。本发明方法采用n型Si作为异质衬底材料，采用SnTe纳米薄膜作为p型半导体材料，以制备SnTen‑Si红外光伏探测器。采用射频磁控溅射法，在预先掩模过的n‑Si衬底上溅射一定厚度的SnTe纳米薄膜，以制备SnTen‑Si异质结构。采用热蒸发法蒸镀具有一定图形的金属电极，以制备SnTen‑Si红外光伏探测器。与现有的化学气相沉积法相比，本发明制备方法简洁、低成本；实现了室温下、在紫外至短波红外波段（365‑2050nm）具有光电响应特性的SnTen‑Si光伏探测器的制备；该器件在近红外波段具有高的响应率和探测率；并且该器件探测波长超过了Si的截止波长，由于与SnTe纳米薄膜相结合，使异质结光伏器件的探测波长范围得到了拓展。

主权项：1.SnTe-Si紫外至短波红外光伏探测器，其特征在于所述探测器从下至上依次为n-Si衬底、p-SnTe纳米薄膜和铝电极；所述SnTe纳米薄膜上采用“回”字型铝电极结构，“回”字型铝电极中心包围的区域为光敏面，光敏面积≤9mm2；所述SnTe纳米薄膜，使用射频磁控溅射法、以SnTe单靶为靶材直接在预掩模过的n-Si衬底上溅射获得，SnTe纳米薄膜厚度为4.5-5.8nm。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 昆明物理研究所 SnTe/n-Si紫外至短波红外光伏探测器及其制备方法

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