申请/专利权人：紫光同芯微电子有限公司

申请日：2019-12-20

公开（公告）日：2023-07-14

公开（公告）号：CN111835334B

主分类号：H03K19/0175

分类号：H03K19/0175

优先权：

专利状态码：有效-授权

法律状态：2023.07.14#授权;2020.12.11#实质审查的生效;2020.10.27#公开

摘要：本发明提供了一种自动校准SWP从接口电路。所述SWP从接口电路包括静电防护电路、接收电路、发射电路和参考电流产生电路，静电防护电路连接接收电路、接收电路连接发射电路，发射电路连接参考电流产生电路。本发明的自动校准SWP从接口电路引入了第一数字控制电路和参考电流源产生电路，能够自动校准SWP从接口传输电压信号时的负载调制度，避免了每一芯片的负载调试，降低生产周期和成本；且本发明的自动校准SWP从接口电路，结构简单，易于集成。

主权项：1.一种自动校准SWP从接口电路，其特征在于，所述SWP从接口电路包括静电防护电路、接收电路、发射电路和参考电流产生电流，静电防护电路连接接收电路、接收电路连接发射电路，发射电路连接参考电流产生电路，其中，静电防护电路包括第一二极管和第二二极管，第二二极管的正极连接静电防护电路的输入输出端，第二二极管的负极连接电源端VDD，第一二极管的负极连接静电防护电路的输入输出端，第一二极管的正极连接地端VSS；接收电路包括第一电容器、第一电阻器、第一施密特触发器、第一反向器和第二反向器，第一电阻器的一端接静电防护电路的输入输出端，第一电阻器的另一端、第一电容器的一端与第一施密特触发器的输入端相连接，第一电容器的另一端接地端VSS，第一施密特触发器的输出端与第一反向器的输入端相连接，第一反向器的输出端与第二反向器的输入端相连接，第二反向器的输出端作为接收电路的输出端，第一施密特触发器的电源端、第一反向器的电源端、第二反向器的电源端与电源端VDD相连接，第一施密特触发器的电地端、第一反向器的地端、第二反向器的地端与地端VSS相连接；发射电路包括第一参考电流源、第一NMOS晶体管、第二NMOS晶体管、第三NMOS晶体管、第四NMOS晶体管、第五NMOS晶体管、第一PMOS晶体管、第二电阻器、第三电阻器、第一比较器、第三反向器、第四反向器、第五反向器、第一数字控制电路，其中，第一NMOS晶体管的栅端和漏端、第二NMOS晶体管的栅端与第三NMOS晶体管的漏端相连接并作为输入端，第二NMOS晶体管的漏端与静电防护电路的输入输出端相连接，第二NMOS晶体管的源端、第四NMOS晶体管的漏端、第五NMOS晶体管的漏端与第一PMOS晶体管的源端相连接，第三NMOS晶体管的源端和衬底、第二NMOS晶体管的衬底、第一NMOS晶体管的源端和衬底、第四NMOS晶体管的源端和衬底、第五NMOS晶体管的衬底、第二电阻器的一端、第三电阻器的一端、第一比较器的地端、第一数字控制电路的地端、第三反向器的地端、第四反向器的地端、第五反向器的地端与地端VSS相连接，第三NMOS晶体管的栅端与第三反向器的输出端相连接，第三反向器的输入端与数字调制信号相连接，第四NMOS晶体管的栅端与第四反向器的输出端相连接，第四反向器的输入端、第五NMOS晶体管的栅端、第五反向器的输入端与控制信号端相连接，第五反向器的输出端与第一PMOS晶体管的栅端相连接，第五NMOS晶体管的源端、第一PMOS晶体管的漏端、第二电阻器的另一端与第一比较器的正输入端相连接，第三电阻器的另一端、第一参考电流源输出端与第一比较器的负输入端相连接，第一比较器的输出端与第一数字控制电路的输入端相连接，第一数字控制电路的输出端，第一PMOS晶体管的衬底、第一比较器的电源端、第一数字控制电路的电源端、第三反向器的电源端、第四反向器的电源端、第五反向器的电源端与电源端VDD相连接；参考电流产生电路包括第二参考电流源、第六NMOS晶体管、第七NMOS晶体管、第八NMOS晶体管、第九NMOS晶体管、第十NMOS晶体管、第十一NMOS晶体管、第二PMOS晶体管、第三PMOS晶体管、第四PMOS晶体管、第五PMOS晶体管、第六PMOS晶体管、第七PMOS晶体管，第二PMOS晶体管的漏端与发射电路的输入端相连接，第二PMOS晶体管的栅端、第三PMOS晶体管的栅端和漏端、第四PMOS晶体管的源端和衬底、第五PMOS晶体管的源端和衬底、第六PMOS晶体管的源端和衬底、第七PMOS晶体管的源端和衬底与第十NMOS晶体管的漏端相连接，第二PMOS晶体管的源端和衬底、第三PMOS晶体管的源端和衬底与电源端VDD相连接，第四PMOS晶体管的栅端、第五PMOS晶体管的栅端、第六PMOS晶体管的栅端、第七PMOS晶体管的栅端分别与发射电路的第一输出端、第二输出端、第三输出端、第四输出端相连接，第四PMOS晶体管的漏端、第五PMOS晶体管的漏端、第六PMOS晶体管的漏端、第七PMOS晶体管的漏端分别与第六NMOS晶体管的漏端、第七NMOS晶体管的漏端、第八NMOS晶体管的漏端、第九NMOS晶体管的漏端相连接，第六NMOS晶体管的栅端、第七NMOS晶体管的栅端、第八NMOS晶体管的栅端、第九NMOS晶体管的栅端、第十NMOS晶体管的栅端、第十一NMOS晶体管的栅端和漏断与第二参考电流源的输出端相连接，第六NMOS晶体管的源端和衬底、第七NMOS晶体管的源端和衬底、第八NMOS晶体管的源端和衬底、第九NMOS晶体管的源端和衬底、第十NMOS晶体管的源端和衬底、第十一NMOS晶体管的源端和衬底与地端VSS相连接。

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