申请/专利权人：河北工业大学

申请日：2023-06-08

公开（公告）日：2023-08-01

公开（公告）号：CN116526097A

主分类号：H01P1/203

分类号：H01P1/203

优先权：

专利状态码：在审-公开

法律状态：2023.08.01#公开

摘要：本发明公开了一种加载T型EBG结构和双钩型DGS结构的基片集成波导滤波器，涉及微波技术领域。包括顶层金属层1、介质基片层2、底层金属层3、梯形微带线4、长方形微带线5、T型EBG结构6、金属化通孔7、双钩型DGS结构8。三个双钩型DGS结构8等距加载于底层金属层3上通过改变底层金属层3上的电流分布与电流流向，进而改变有效介电常数及微带线的等效电容和电感实现特定频率的抑制。滤波器连接馈线采用长方形微带线5与梯形微带线4的过渡结构，其中一侧的长方形微带线5处加载了T型EBG结构6来产生传输零点，进而增强带外抑制特性。本发明利用简单的结构组合，实现了高效的滤波性能，达到了架构简单、小型化、高性能、带外抑制能力强的效果。

主权项：1.一种加载T型EBG结构和双钩型DGS结构的基片集成波导滤波器，其特征在于包括顶层金属层1、介质基片层2、底层金属层3、梯形微带线4、长方形微带线5、T型EBG结构6、金属化通孔7、双钩型DGS结构8；所述顶层金属层1、介质基片层2、底层金属层3、金属化通孔7构成滤波器的谐振腔，所述两侧的长方形微带线5与梯形微带线4共同构成基片集成波导滤波器的输入与输出馈线。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 河北工业大学 一种加载T型EBG结构和双钩型DGS结构的基片集成波导滤波器

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