申请/专利权人：广东可易亚半导体科技有限公司

申请日：2023-07-07

公开（公告）日：2023-08-04

公开（公告）号：CN116544117A

主分类号：H01L21/336

分类号：H01L21/336;H01L29/06;H01L29/78

优先权：

专利状态码：在审-实质审查的生效

法律状态：2023.08.22#实质审查的生效;2023.08.04#公开

摘要：本发明涉及VDMOS器件技术领域，具体公开了一种高EAS的VDMOS器件及其制备方法，包括：步骤1、在N型衬底上制作N型外延层；步骤2、在N型外延层上进行P型离子的注入，形成P条；步骤3、重复步骤1和2，并对多个N型外延层上形成的多个P条进行高温推结，形成P柱，多个N型外延层和P柱形成具备不同掺杂浓度的漂移区；其中，不同掺杂浓度的漂移区包括多个浓度区域，多个浓度区域的掺杂浓度由衬底到栅极一侧逐渐降低。雪崩电流在漂移区靠近N型衬底时就由P区转向了N区，雪崩电流的转折点离P体区的距离较远，可使P体区的电流密度更小，通过改变电流路径抑制了寄生晶体管的开启，从而使雪崩能量提升。

主权项：1.一种高EAS的VDMOS器件的制备方法，其特征在于，包括：S100、在N型衬底上制作N型外延层；S200、在N型外延层上进行P型离子的注入，形成P条；S300、重复步骤S100和S200，并对多个N型外延层上形成的多个P条进行高温推结，形成P柱，多个N型外延层和P柱形成具备不同掺杂浓度的漂移区；其中，不同掺杂浓度的漂移区包括多个浓度区域，多个浓度区域的掺杂浓度由N型衬底到栅极一侧逐渐降低。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 广东可易亚半导体科技有限公司 一种高EAS的VDMOS器件及其制备方法

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