申请/专利权人：黑龙江省原子能研究院

申请日：2023-12-12

公开（公告）日：2024-03-12

公开（公告）号：CN117686869A

主分类号：G01R31/26

分类号：G01R31/26

优先权：

专利状态码：在审-公开

法律状态：2024.03.12#公开

摘要：一种通过低温预处理表征VDMOS器件氢杂质对NBTI影响的方法，涉及一种表征VDMOS器件氢杂质对NBTI影响的方法。本发明是要解决目前缺乏表征VDMOS器件氢杂质对NBTI影响的技术问题。本发明深入研究低温预处理对硅基VDMOS器件NBTI的影响机理研究，构建器件SiSiO2界面处界面态和氧化物电荷缺陷演化模型，阐明低温预处理改善器件性能机理；明晰负偏置温度不稳定机制，建立低温预处理和负偏置温度不稳定性的内在关系，构建低温预处理对负偏置温度不稳定影响模型并检验模型的准确性，对提升VDMOS器件的空间服役稳定性具有指导性建议。

主权项：1.一种通过低温预处理表征VDMOS器件氢杂质对NBTI影响的方法，其特征在于通过低温预处理表征VDMOS器件氢杂质对NBTI影响的方法是按以下步骤进行的：一、低温预处理对负偏置温度不稳定性的影响试验探究：在室温和低温两个温度下分别对VDMOS器件预处理一段时间，获取预处理前后阈值电压的变化；利用亚阈值中带技术分离分别获得界面态和氧化物电荷造成的阈值电压偏移量并提取界面态和氧化物电荷浓度；二、低温预处理对负偏置温度不稳定性的影响理论及机制分析：探究在负偏置温度应力时界面态和氧化物电荷变化的反应扩散模型；利用分子动力学模拟仿真计算并分析Si-SiO2界面处原子演化及弛豫行为；三、低温预处理对负偏置温度不稳定性的影响验证：进行氢气浸泡预处理试验，验证低温预处理对负偏置温度不稳定性的影响。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 黑龙江省原子能研究院 一种通过低温预处理表征VDMOS器件氢杂质对NBTI影响的方法

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