申请/专利权人：电子科技大学;周烨

申请日：2023-05-11

公开（公告）日：2023-08-11

公开（公告）号：CN116581119A

主分类号：H01L27/02

分类号：H01L27/02

优先权：

专利状态码：在审-公开

法律状态：2023.08.11#公开

摘要：本发明提供了一种基于BCD工艺的ESD保护电路，其特征在于包括：电源线、地线、四个PMOS管、一个NMOS管；MOS管相互串联，栅极与源极相连；所述NMOS器件击穿电压约为9V~16V，PMOS器件击穿电压约为10V~12V；所述MOS器件均由BCD工艺制造；该电路可用于40V高工作电压下的ESD防护。上述方案的电路可以保持足够的ESD放电能力并可尽量缩小电路的版图面积。

主权项：1.一种ESD保护电路，其特征在于，包括：第一PMOS管、第二PMOS管、第三PMOS管、第四PMOS管和第一NMOS管；其中，第一PMOS管的栅极与源极和电源线VDD相连，第一PMOS管的漏极与第二PMOS管的源极和栅极相连，第二PMOS管的漏极与第三PMOS管的源极和栅极相连，第三PMOS管的漏极与第四PMOS的源极和栅极相连，第四PMOS的漏极与第一NMOS管的漏极相连，第一NMOS管的栅极与源极和地线GND相连。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 电子科技大学;周烨 一种基于BCD工艺的ESD保护电路

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