申请/专利权人：深圳安森德半导体有限公司

申请日：2023-05-17

公开（公告）日：2023-08-11

公开（公告）号：CN116306448B

主分类号：G06F30/38

分类号：G06F30/38

优先权：

专利状态码：有效-授权

法律状态：2023.08.11#授权;2023.07.11#实质审查的生效;2023.06.23#公开

摘要：本发明涉及数据处理技术领域，尤其涉及一种基于BCD工艺的数模混合集成电路的设计方法，包括：模拟组装待检测电路、输出电压的检测、P型杂质的注入量的调节、截止频率的检测、循环检测以及完成设计。本发明在判定待检测电路输出的电压值不符合预设标准时根据待检测电路输出的电压值将P型杂质的注入量或P阱尺寸调节至对应值，并在判定待检测电路输出的电压值符合预设标准时根据待检测电路输出波形的截止频率fc判定是否对Bipolar集电极输出端的串联电阻阻值进行调节，通过针对对应参数的调节以使通过本发明设计的数模混合集成电路能够适用于对应输出电压需求的环境，有效提高了本发明所述方法针对数模混合集成电路的设计效率。

主权项：1.一种基于BCD工艺的数模混合集成电路的设计方法，其特征在于，包括：步骤S1，模拟组装待检测电路，在双极管Bipolar内部的N型底板上开设预设尺寸的P阱，并向其内部注入预设量的含有预设浓度的P型杂质，在Bipolar集电极输出端连接若干电阻，在双极管Bipolar旁组装用于逻辑控制的CMOS器件，在CMOS器件旁组装用以使待检测电路可应用于高压状态下的DMOS器件；步骤S2，输出电压的检测，通过电源供应器向所述待检测电路中通入预设电压，中控处理器控制万用表检测待检测电路输出的电压值；步骤S3，P型杂质的注入量的调节，中控单元在所述待检测电路输出电压低于预设标准时将所述P型杂质的注入量调节至对应值，并在判定无法通过调节P型杂质的注入量时将注入的P型杂质的浓度或所述P阱的尺寸调节至对应值；所述中控单元在所述待检测电路输出电压高于预设标准时控制所述DMOS器件对所述待检测电路的输出电压进行针对性调节；步骤S4，截止频率的检测，所述中控单元在所述待检测电路输出电压值符合预设标准时中控单元控制示波器检测待检测电路输出波形的截止频率判定其是否符合预设标准，并在判定待检测电路的截止频率不符合预设标准时将设置在所述Bipolar集电极输出端的串联电阻调节至对应值；步骤S5，循环检测，所述中控单元在完成对对应的参数的调节时重复所述步骤S1以使用调节后的参数重新模拟组装待检测电路，并在重新模拟组装完成时控制所述万用表重新检测该待检测电路的输出电压，中控单元在判定重新测得的输出电压不符合预设标准时重复调节对应参数并重复模拟组装直至模拟组装的待检测电路的输出电压和截止频率符合预设标准；步骤S6，完成设计，所述中控单元在判定该电路输出电压和截止频率符合预设标准时判定完成针对数模混合集成电路的设计；在所述步骤S2中，所述中控单元将所述万用表测得的所述待检测电路的输出电压记为U，并根据U判定该待检测电路的输出电压是否符合预设标准，中控单元中设有第一预设标准电压U1和第二预设差标准电压U2，其中U1＜U2，若U≤U1，所述中控单元判定所述待检测电路的输出电压低于预设标准，中控单元计算所述第一预设标准电压U1与待检测电路的输出电压U的差值△U，并根据△U将所述P型杂质的注入量调节至对应值，设定△U=U1-U；若U1＜U≤U2，所述中控单元判定所述待检测电路的输出电压符合预设标准，中控单元控制所述示波器检测待检测电路输出波形的截止频率fc判定其是否符合预设标准，若不符合则将所述Bipolar集电极输出端的串联电阻阻值R调节至对应值；若U＞U2，所述中控单元判定该电路处于高压状态，控制所述DMOS器件对电路进行控制以将所述待检测电路的输出电压调节至对应值。

全文数据：

权利要求：

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