申请/专利权人：深圳硅山技术有限公司

申请日：2023-05-25

公开（公告）日：2023-08-22

公开（公告）号：CN116626466A

主分类号：G01R31/26

分类号：G01R31/26;H02M1/08

优先权：

专利状态码：在审-实质审查的生效

法律状态：2023.09.08#实质审查的生效;2023.08.22#公开

摘要：本申请涉及电力电子测试领域，公开了一种IGBT模块驱动板VCE退饱和测试方法，包括以下步骤：步骤一、将IGBTB半桥模块的上桥短路；步骤二、通过信号发生器输出脉冲，并经过IGBT驱动板的控制电路，对脉冲信号处理，实现控制下桥导通；步骤三、下桥导通和上桥的短路线形成IGBTB短路退出饱和区，Vce快速上升直至母线电压，Dm马上截止，电流源则向DESAT电容Ca充电，Ca的电位线性上升，达到VDESAT_TH时比较器翻转。通过先将IGBTB半桥模块的上桥短路，再利用控制电路对脉冲信号进行处理，实现瞬间下桥导通，形成短路，使短路时间控制在安全的范围，短路中IGBT的能量可以控制在安全的范围，解决了退饱和测试中IGBT模块容易损坏的问题，同时避免了元件短路发生爆炸对人身造成危险。

主权项：1.一种IGBT模块驱动板VCE退饱和测试方法，其特征在于，包括以下步骤：步骤一、将IGBTB半桥模块的上桥短路；步骤二、通过信号发生器输出脉冲，并经过IGBT驱动板的控制电路，对脉冲信号处理，实现控制下桥导通；步骤三、下桥导通和上桥的短路线形成IGBTB短路退出饱和区，Vce快速上升直至母线电压，Dm马上截止，电流源则向DESAT电容Ca充电，Ca的电位线性上升，达到VDESAT_TH时比较器翻转；步骤四、Vge逐渐减小，IGBT开始关断，测试完成。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 深圳硅山技术有限公司 一种IGBT模块驱动板VCE退饱和测试方法

免责声明
1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。

阅读全文 双屏查看 官方信息 专利公告 收藏专利 下载PDF 下载WORD