申请/专利权人：上海华虹宏力半导体制造有限公司

申请日：2020-06-15

公开（公告）日：2023-08-22

公开（公告）号：CN111785774B

主分类号：H01L29/06

分类号：H01L29/06;H01L29/08;H01L27/088;H01L27/092;H01L29/78;H01L21/8238;H01L21/336

优先权：

专利状态码：有效-授权

法律状态：2023.08.22#授权;2020.11.03#实质审查的生效;2020.10.16#公开

摘要：本发明公开了一种BCD工艺中CMOS器件，CMOS器件包括沟道导电类型为第一导电类型的第一MOS晶体管，LDMOS器件包括沟道导电类型为第二导电类型的第一LDMOS；第一MOS晶体管的源区侧的第二导电类型的第一阱区中形成有第二导电类型掺杂的第一掺杂区，第一掺杂区也组成第一LDMOS的漂移区。第一MOS晶体管的漏区侧的第一阱区中形成有第一导电类型掺杂的第一轻掺杂漏区。第一源区和第一漏区分别形成于第一栅极结构两侧的第一掺杂区和第一轻掺杂漏区表面。本发明还公开了一种BCD工艺中CMOS器件的制造方法。本发明无需增加额外工艺即可实现高压CMOS器件并能延缓器件的短沟道效应并保证器件的击穿电压，从而能进一步缩短器件的尺寸，提高导通电流，降低导通电阻。

主权项：1.一种BCD工艺中CMOS器件，其特征在于，CMOS器件和LDMOS器件同时集成在同一半导体衬底上；所述CMOS器件包括沟道导电类型为第一导电类型的第一MOS晶体管，所述LDMOS器件包括沟道导电类型为第二导电类型的第一LDMOS；所述第一LDMOS的漂移区由第二导电类型掺杂的第一掺杂区组成；所述第一MOS晶体管包括：第二导电类型掺杂的第一阱区，形成于所述第一阱区表面上的第一栅极结构；在所述第一栅极结构的第一侧的所述第一阱区中也形成有所述第一掺杂区，所述第一掺杂区还延伸到所述第一栅极结构的底部，在所述第一栅极结构的第一侧的所述第一掺杂区的表面形成有第一导电类型重掺杂的第一源区；在所述第一栅极结构的第二侧的所述第一阱区中形成第一导电类型掺杂的第一轻掺杂漏区，所述第一轻掺杂漏区还延伸到所述第一栅极结构的底部，在所述第一栅极结构的第二侧的所述第一轻掺杂漏区的表面形成有第一导电类型重掺杂的第一漏区；第一沟道区由位于所述第一源区和所述第一轻掺杂漏区之间的所述第一掺杂区和所述第一阱区组成。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 上海华虹宏力半导体制造有限公司 BCD工艺中CMOS器件及其制造方法

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