申请/专利权人：中国科学院半导体研究所

申请日：2023-07-06

公开（公告）日：2023-09-15

公开（公告）号：CN116759891A

主分类号：H01S5/40

分类号：H01S5/40;H01S5/30;H01S5/22;H01S5/323;H01S5/10

优先权：

专利状态码：在审-实质审查的生效

法律状态：2023.10.03#实质审查的生效;2023.09.15#公开

摘要：本公开提供一种同相超模激光器，包括：沿外延方向设置的衬底和至少两个相叠加的激光器单元；其中，至少两个相叠加的激光器单元中的相邻激光器单元之间设置有隧道结，至少两个相叠加的激光器单元的波导芯层相互耦合形成超模光学腔；以及远离衬底的最上层激光器单元上刻蚀有一个或多个电注入脊条结构；其中，电注入脊条结构包括本征超模增益区和反向超模相移区，反向超模相移区用于补偿与本征超模增益区相对应的超模光学腔中高阶超模的本征相位差。本公开的同相超模激光器可以在快轴方向实现同相超模输出，并且具有低发散角的远场主峰，以及窄光谱宽度。

主权项：1.一种同相超模激光器，其特征在于，包括：沿外延方向设置的衬底和至少两个相叠加的激光器单元；其中，所述至少两个相叠加的激光器单元中的相邻激光器单元之间设置有隧道结，所述至少两个相叠加的激光器单元的波导芯层相互耦合形成超模光学腔；以及远离所述衬底的最上层激光器单元上刻蚀有一个或多个电注入脊条结构；其中，所述电注入脊条结构包括本征超模增益区和反向超模相移区，所述反向超模相移区用于补偿与所述本征超模增益区相对应的所述超模光学腔中高阶超模的本征相位差。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 中国科学院半导体研究所 同相超模激光器

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