申请/专利权人：浙江大学

申请日：2023-06-25

公开（公告）日：2023-09-22

公开（公告）号：CN116798479A

主分类号：G11C15/04

分类号：G11C15/04;G11C13/00

优先权：

专利状态码：在审-实质审查的生效

法律状态：2023.10.13#实质审查的生效;2023.09.22#公开

摘要：本发明涉及一种基于RRAM的TCAM搜索阵列及其内核单元制造方法，该阵列包括内核单元阵列、多条功能线SL、多条字线WL和多条匹配线ML，内核单元阵列具有多个内核单元，各内核单元上下分别连接一条WL线，各内核单元包括NMOS晶体管、第一忆阻器、PMOS晶体管和第二忆阻器，NMOS晶体管与第一忆阻器串联，PMOS晶体管与第二忆阻器串联，NMOS晶体管的源极通过第一忆阻器连接PMOS晶体管的漏极；同一列的内核单元共用一条功能性SL，同一行的内核单元共用同一条字线WL，匹配线ML通过外部电阻接地，实现了功耗低、结构简单且具有更高集成度和兼容性。

主权项：1.基于RRAM的TCAM搜索阵列，其特征在于，包括：内核单元阵列，具有多个内核单元，每一个内核单元的上下分别对应连接一条WL线；其中，每一个内核单元包括NMOS晶体管、第一忆阻器、PMOS晶体管和第二忆阻器，NMOS晶体管与第一忆阻器串联，PMOS晶体管与第二忆阻器串联，且NMOS晶体管的源极通过第一忆阻器连接PMOS晶体管的漏极；第一忆阻器编写为高阻态，第二忆阻器编写为低阻态，第一忆阻器与NMOS晶体管的开关态相互配合以存储逻辑状态0、逻辑状态1和逻辑状态X这三种逻辑状态；以及，第二忆阻器与PMOS晶体管的开关态相互配合以存储逻辑状态0、逻辑状态1和逻辑状态X这三种逻辑状态；多条功能线SL，每一条功能线SL被内核单元阵列中处于同一列的内核单元共用，该功能线SL用来搜索或在写入数据时对阵列进行选通；其中，在同一列的内核单元中，两个内核单元间相邻的晶体管共用一条功能线SL；多条字线WL，每一条字线WL被内核单元阵列中处于同一行的内核单元共用，该字线WL用来搜索或在写入数据时对阵列进行选通；其中，在同一行的内核单元中，两个内核单元间相邻的晶体管共用一条字线WL，每一条字线WL保持在高电平；多条匹配线ML，每一条匹配线ML被内核单元阵列中处于同一行的内核单元共用，且每一条匹配线ML通过外部电阻接地，用于产生搜寻信号且根据该匹配线ML输出电平的高低判断是否匹配。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 浙江大学 基于RRAM的TCAM搜索阵列及其内核单元制造方法

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