申请/专利权人：湖北长江万润半导体技术有限公司

申请日：2023-07-14

公开（公告）日：2023-10-13

公开（公告）号：CN116884471A

主分类号：G11C29/56

分类号：G11C29/56;G06F12/0882

优先权：

专利状态码：在审-实质审查的生效

法律状态：2023.10.31#实质审查的生效;2023.10.13#公开

摘要：本发明公开了一种基于单Die读重试的纠错调度方法，该方法包括以下步骤：1）主机多Plane读出错后，对闪存控制器上报的每个Plane读出错的存储单元AU进行统计，形成读出错的存储单元AU位图；其中，存储单元AU位图是同一个Die中每个Plane所在的page页上4个存储单元AU的分布图，读出错的存储单元AU位图通过将读出错的存储单元AU在存储单元AU位图进行标记形成；2）根据存储单元AU位图进行基于单Die命令调度的读重试纠错。本发明方法通过设置读出错的存储单元AU位图，可以有效缩短读重试纠错方法时间，提升纠错效率。

主权项：1.一种基于单Die读重试的纠错调度方法，其特征在于，包括以下步骤：1）主机多Plane读出错后，对闪存控制器上报的每个Plane读出错的存储单元AU进行统计，形成读出错的存储单元AU位图；其中，存储单元AU位图是同一个Die中每个Plane所在的Page页上4个存储单元AU的分布图，读出错的存储单元AU位图通过将读出错的存储单元AU在存储单元AU位图进行标记形成；2）根据存储单元AU位图进行基于单Die命令调度的读重试纠错。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 湖北长江万润半导体技术有限公司 一种基于单Die读重试的纠错调度方法

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