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【发明公布】一种基于三音叉TPoS谐振器的双轴加速度传感器_电子科技大学_202310867348.X 

申请/专利权人:电子科技大学

申请日:2023-07-14

公开(公告)日:2023-10-17

公开(公告)号:CN116893280A

主分类号:G01P15/09

分类号:G01P15/09

优先权:

专利状态码:在审-实质审查的生效

法律状态:2023.11.03#实质审查的生效;2023.10.17#公开

摘要:本发明公开了一种基于三音叉TPoS谐振器的双轴加速度传感器,属于微机电技术领域。本发明所述加速度传感器由质量块、解耦梁、三级微杠杆、三音叉TPoS谐振器和SOI基底构成,其中三级微杠杆的设计方案使得器件占用面积大幅减小,结构变得更加紧凑。本发明的工作原理是质量块在加速度的影响下产生惯性力,在通过解耦梁解耦和三级微杠杆放大后作用于三音叉TPoS谐振器,使其谐振频率发生偏移,并通过外部电路检测谐振频率变化量实现加速度测量的目的。

主权项:1.一种基于三音叉TPoS谐振器的双轴加速度传感器,其特征在于,呈轴对称及90°中心旋转对称,包括质量块1、八个三级微杠杆2、八个解耦梁3、四个三音叉TPoS谐振器4和SOI基底5;SOI基底5呈方形,由下至上依次为紧密贴合的硅衬底501、第二绝缘氧化层502和掺杂硅层503;内部对硅衬底501和第二绝缘氧化层502进行镂空刻蚀,保留四周方环结构及位于各方环边中心位置的两个支撑柱;两个支撑柱之间留有间距,与方环结构的边垂直;对掺杂硅层503进行镂空刻蚀,得到质量块1、三级微杠杆2、解耦梁3和三音叉TPoS谐振器4;质量块1呈方形,方形的四边中心位置有凸字形镂空部分,凸字形镂空部分的边与方形硅片的边平行;质量块1与掺杂硅层503的中心位置重合,形状大小与SOI基底5嵌套匹配并留有空隙;三音叉TPoS谐振器4位于两个相互平行的相邻支撑柱中间的间距处;解耦梁3呈“I”型结构,由中心位置向外延伸出两个连接枝节;解耦梁3位于质量块1凸字形镂空部分的左右两侧,与支撑柱平行;三级微杠杆2位于质量块1与方环结构之间的间距处;解耦梁3的两个连接枝节分别连接质量块1和三级微杠杆2的输入梁,三级微杠杆2的输出梁连接至三音叉TPoS谐振器4的锚点407,三音叉TPoS谐振器4的另一个锚点407连接方环结构;对掺杂硅层503除方环结构、支撑柱、质量块1、三级微杠杆2、解耦梁3和三音叉TPoS谐振器4以外的部分进行镂空刻蚀。

全文数据:

权利要求:

百度查询: 电子科技大学 一种基于三音叉TPoS谐振器的双轴加速度传感器

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