申请/专利权人：福建师范大学

申请日：2023-07-14

公开（公告）日：2023-10-20

公开（公告）号：CN116903777A

主分类号：C08F220/14

分类号：C08F220/14;C08F226/08;C08F2/44;C08K5/08;G11B7/245

优先权：

专利状态码：在审-实质审查的生效

法律状态：2023.11.07#实质审查的生效;2023.10.20#公开

摘要：本发明涉及全息存储材料技术领域，具体涉及NVP掺杂PQ\PMMA光致聚合物全息存储材料及其制备方法。该NVP掺杂PQ\PMMA光致聚合物全息存储材料，原料包括NVP、MMA、PQ和AIBN。在PQ\PMMA中掺杂NVP，以实现光致聚合物材料作为全息存储的优良介质。该材料制备工艺简单，价格低廉，有较高的衍射效率和感光灵敏度，相较于PQ\PMMA可以更好地用于全息成像及数据存储领域。

主权项：1.一种NVP掺杂PQ\PMMA光致聚合物全息存储材料，其特征在于，包括NVP、MMA、PQ和AIBN。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 福建师范大学 NVP掺杂PQ\PMMA光致聚合物全息存储材料及其制备方法

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