申请/专利权人：南京真芯润和微电子有限公司

申请日：2023-06-06

公开（公告）日：2023-10-20

公开（公告）号：CN116913791A

主分类号：H01L21/60

分类号：H01L21/60;H01L21/56;H01L21/50;H01L21/78;H01L23/31;H01L23/48;H01L23/488;H01L23/498;H01L23/522;H01L23/528;H01L23/535;H01L21/768;H01L21/48

优先权：

专利状态码：在审-实质审查的生效

法律状态：2023.11.07#实质审查的生效;2023.10.20#公开

摘要：一种基于辅芯片打线中转的Hybrid封装方法，步骤包括：（一）晶圆正背面RDL制程：1.1）晶圆制造厂晶圆来料；1.2）对晶圆背面的硅层进行研磨；1.3）将晶圆正面朝下贴在载板上；1.4）在晶圆背面的硅层表面制作背面重布线层及相应的焊盘；1.5）去除晶圆正面的载板；1.6）在晶圆的正面制作正面重布线层，并在正面重布线层表面制作金属凸点；1.7）去除载板，切割晶圆得到底层晶片。（二）后道封装：2.1）取底层晶片作为主芯片，把主芯片正面朝下贴到基板上；2.2）取辅芯片贴到主芯片背面上；辅芯片正面的触点连接于第二焊盘；2.3）同组的第一焊盘打线连接于基板上的相应焊盘；2.4）封装料包裹构成封装结构。

主权项：1.一种基于辅芯片打线中转的Hybrid封装方法，所述Hybrid封装方法用于Hybrid封装结构的封装；在Hybrid封装结构中的晶片包括直接装贴于基板的底层晶片和装贴于底层晶片顶面的辅芯片；所述Hybrid封装方法的步骤包括：步骤（一）晶圆正背面RDL制程；步骤（二）后道封装，其特征是所述步骤（一）中，对于用作分割底层晶片的晶圆wafer，在晶圆背面制作背面重布线层以及相应的焊盘，步骤包括：1.1）晶圆制造厂晶圆来料，晶圆Wafer的正面是正面电路层，晶圆Wafer的背面是硅层；1.2）对晶圆背面的硅层进行研磨，直至达到底层晶片所需厚度；1.3）把晶圆翻转后，将晶圆正面朝下贴在载板上；1.4）在晶圆背面的硅层表面制作背面重布线层及相应的焊盘，焊盘包括多组的第一焊盘和第二焊盘，同组的第一焊盘和第二焊盘通过背面重布线层内的金属走线导通；1.5）去除晶圆正面的载板；将晶圆翻转后把晶圆的背面贴到载板上，使晶圆的正面朝上；1.6）在晶圆的正面制作正面重布线层，并在正面重布线层表面制作金属凸点bump；1.7）去除晶圆背面的载板，对晶圆进行切割，得到所需单颗的底层晶片；所述步骤（二）中，2.1）取步骤（一）制得的底层晶片作为主芯片，把主芯片正面朝下，采用flipchip工艺贴到基板上；2.2）取辅芯片贴到主芯片背面上；辅芯片正面的触点连接于第二焊盘；2.3）同组的第一焊盘使用键合工艺打线连接于基板上的与辅芯片相应触点导通的焊盘；2.4）把主芯片、辅芯片以及基板由封装料包裹构成封装结构；2.5）在基板底面采用植球工艺制作焊球；2.6）将整条注塑后的基板进行切割，分成单颗封装后的芯片。

全文数据：

权利要求：

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