申请/专利权人：西安鑫垚陶瓷复合材料股份有限公司

申请日：2023-07-05

公开（公告）日：2023-10-27

公开（公告）号：CN116947515A

主分类号：C04B35/80

分类号：C04B35/80;C04B35/565;C04B35/622

优先权：

专利状态码：在审-实质审查的生效

法律状态：2023.11.14#实质审查的生效;2023.10.27#公开

摘要：本发明具体涉及一种RMI制备CSiC‑Diamond复合材料的方法，解决现有方法制备CSiC‑Diamond复合材料的周期长、工艺复杂，且制备的CSiC‑Diamond复合材料热导率以及力学性能较差的问题。该方法，包括以下步骤：S1，制备CSiC多孔预制体；S2，配制浆料：将羧甲基纤维素钠分散在去离子水中配制分散剂，然后将金刚石与石墨的混合粉料加入到分散剂中后，最后将其与刚玉球加入球磨罐中进行湿磨，获得浆料；S3，浸渍浆料S4，反应熔体渗透液硅：将压力浸渍完成后的CSiC‑金刚石+石墨试样用Si粉包裹，再用石墨纸包扎，之后将包裹有Si粉的CSiC多孔预制体放入渗Si炉中，在真空环境下进行反应熔体渗透液硅，完成CSiC‑Diamond复合材料的制备。本发明方法能够有效提高Diamond与SiC的界面结合强度和热导率。

主权项：1.一种RMI制备CSiC-Diamond复合材料的方法，其特征在于，包括以下步骤：S1，制备CSiC多孔预制体：采用CVI工艺在碳纤维布上沉积200～500nm厚的热解碳界面，再采用CVI工艺在热解碳界面上沉积SiC基体至半致密状态，获得CSiC多孔预制体；S2，配制浆料：将羧甲基纤维素钠分散在去离子水中配制分散剂，然后将金刚石与石墨的混合粉料加入到分散剂中后，最后将其与刚玉球加入球磨罐中进行湿磨，获得浆料；S3，浸渍浆料：3.1真空浸渍首先将步骤S1中所得的CSiC多孔预制体放到玻璃干燥皿中后抽真空，再将步骤S2中所得的浆料注入玻璃干燥皿中；3.2压力浸渍将步骤3.1中的浆料与CSiC多孔预制体均放入密闭容器中加压，然后将CSiC多孔预制体取出并将其表面擦干并烘干，获得CSiC-金刚石+石墨试样；S4，反应熔体渗透液硅：将压力浸渍完成后的CSiC-金刚石+石墨试样用Si粉包裹，再用石墨纸包扎，之后将包裹有Si粉的CSiC多孔预制体放入渗Si炉中，在真空环境下进行反应熔体渗透液硅，完成CSiC-Diamond复合材料的制备。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 西安鑫垚陶瓷复合材料股份有限公司 一种RMI制备C/SiC-Diamond复合材料的方法

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