申请/专利权人：天狼芯半导体(成都)有限公司

申请日：2023-07-04

公开（公告）日：2023-11-10

公开（公告）号：CN117038721A

主分类号：H01L29/778

分类号：H01L29/778;H01L21/335;H01L29/10

优先权：

专利状态码：在审-公开

法律状态：2023.11.10#公开

摘要：本发明公开了一种沟槽介电层提高耐压的P‑GANHEMT器件及其制备方法，所述沟槽介电层提高耐压的P‑GANHEMT器件，包括：第一外延层、第二外延层和钝化层；所述第二外延层包含相对的第一面和第二面，所述第一面与所述钝化层相邻，所述第二面与所述第一外延层相邻；所述第一面设有凹槽，所述第二面设置有朝向远离第一面方向延伸的凸部；所述凸部和所述凹槽相对；第一外延层向远离第二面方向凹陷形成有容纳槽，所述凸部伸入所述容纳槽中。本发明能够在不增加导通阻抗的情况下提高P‑GANHEMT功率器件的耐压能力。

主权项：1.一种沟槽介电层提高耐压的P-GANHEMT器件，其特征在于，包括：第一外延层、第二外延层和钝化层；所述第二外延层包含相对的第一面和第二面，所述第一面与所述钝化层相邻，所述第二面与所述第一外延层相邻；所述第一面设有凹槽，所述第二面设置有朝向远离第一面方向延伸的凸部；所述凸部和所述凹槽相对；第一外延层向远离第二面方向凹陷形成有容纳槽，所述凸部伸入所述容纳槽中。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 天狼芯半导体(成都)有限公司 沟槽介电层提高耐压的P-GANHEMT器件及其制备方法

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