申请/专利权人：珠海中科先进技术研究院有限公司;深圳市森泰金属技术有限公司;珠海罗西尼表业有限公司

申请日：2023-07-18

公开（公告）日：2023-11-10

公开（公告）号：CN117026145A

主分类号：C23C14/00

分类号：C23C14/00;C23C14/06;C23C14/35

优先权：

专利状态码：在审-实质审查的生效

法律状态：2023.11.28#实质审查的生效;2023.11.10#公开

摘要：本发明属于镀膜工艺技技术领域，提供了一种复合磁控溅射工艺制备高耐腐蚀TiNTiCN膜层的方法。本发明采用了复合磁控溅射设备，将第一Ti靶和第二Ti靶分别与高压脉冲电源、中频磁控溅射电源连接，在真空室中进行镀膜的操作，在保护气体中，先开启中频磁控溅射电源并沉积Ti层，然后通入N2并开启高压脉冲电源以沉积TiN层，再同时通入N2和C2H2，沉积TiCN层，最终制得TiNTiCN膜层。本发明提供的方法不仅具有金属离化率高的优势，而且沉积速率快，提高了膜层的沉积效率，所制得的TiNTiCN复合膜层具有高耐腐蚀性能，且膜层和基材的结合力强度高。

主权项：1.一种复合磁控溅射工艺制备高耐腐蚀TiNTiCN膜层的方法，其特征在于，包括如下步骤：1采用复合磁控溅射设备，所述复合磁控溅射设备包括高压脉冲电源、中频磁控溅射电源、偏压电源、Ti靶、真空室，所述Ti靶包括第一Ti靶和第二Ti靶；将第一Ti靶和第二Ti靶置于真空室中，将第一Ti靶与高压脉冲电源的输出端连接，将第二Ti靶与中频磁控溅射电源的输出端连接；2取基材，置于真空室中；3真空室抽真空；4开启偏压电源，同时充入保护气体；5开启中频磁控溅射电源，沉积Ti层；6通入N2，开启高压脉冲电源，沉积TiN层；7同时通入N2和C2H2，沉积TiCN层，制得所述TiNTiCN膜层。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 珠海中科先进技术研究院有限公司;深圳市森泰金属技术有限公司;珠海罗西尼表业有限公司 一种复合磁控溅射工艺制备高耐腐蚀TiN/TiCN膜层的方法

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