申请/专利权人：厦门稀土材料研究所

申请日：2022-04-13

公开（公告）日：2023-11-07

公开（公告）号：CN114854412B

主分类号：C09K11/79

分类号：C09K11/79

优先权：

专利状态码：有效-授权

法律状态：2023.11.07#授权;2022.08.23#实质审查的生效;2022.08.05#公开

摘要：本发明公开了一种近紫外激发的窄带深蓝发光材料及其制备方法，该材料的化学结构式为：Ln2Si2O7:xBi3+，其中Ln为Sc，Gd，Y，Lu中的至少一种，1≤x≤6，其制备方法包含以下步骤：S1：按照化学式Ln2Si2O7:xBi3+中的化学计量比，分别称取含Ln化合物，含Si化合物，含Bi化合物，将化合物混合后研磨均匀，得到混合物；S2：将步骤S1中得到的混合物加热煅烧，然后冷却，得到近紫外激发的窄带深蓝发光材料。本发明通过阳离子取代，将Ln2Si2O7:xBi3+Ln＝Sc，Gd，Y，Lu的荧光从450nm调整到403‑422nm，最强的吸收峰位于n‑UV区370‑380nm,其中，Sc2Si2O7:Bi3+在372nmn‑UV激发下产生403nm深蓝色发光，FWHM为41nm，量子产率为41.2％，具备良好的热稳定性，其在全光谱照明领域应用潜力巨大。

主权项：1.一种近紫外激发的窄带深蓝发光材料，其特征在于，其化学结构式为：Ln2Si2O7:x%Bi3+，其中Ln为Sc，1≤x≤6。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 厦门稀土材料研究所 一种近紫外激发的窄带深蓝发光材料及其制备方法

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