申请/专利权人：深圳市德明利技术股份有限公司

申请日：2019-07-15

公开（公告）日：2023-11-17

公开（公告）号：CN110471818B

主分类号：G06F11/30

分类号：G06F11/30;G06F11/34

优先权：

专利状态码：有效-授权

法律状态：2023.11.17#授权;2019.12.13#实质审查的生效;2019.11.19#公开

摘要：本发明公开了一种对闪存出错物理地址的标记方法和装置以及设备。其中，所述方法包括：在闪存的主控芯片读取物理页数据发生数据出错时，将出错的物理地址记录在已经出错的用户数据中，和将该出错的物理地址和该已经出错的用户数据一同发送到上位机，以及控制该上位机对该已经出错的用户数据和原数据进行比较，根据该比较出的出错数据的结果立即得出出错数据对应的物理页地址。通过上述方式，能够实现在读取闪存物理页数据发生数据出错时，能够立即得知对应的是闪存的哪一个物理地址出错。

主权项：1.一种对闪存出错物理地址的标记方法，其特征在于，包括：在闪存的主控芯片读取物理页数据发生数据出错时，将出错的物理地址记录在已经出错的用户数据中；所述在闪存的主控芯片读取物理页数据发生数据出错时，将出错的物理地址记录在已经出错的用户数据中，包括：在闪存的主控芯片读取物理页数据发生数据出错时，获取所述读取的物理页数据的逻辑地址和数据长度；根据所述获取的物理页数据的逻辑地址和数据长度，通过逻辑映射表计算出所述读取的物理页数据在闪存中的物理页地址；通过控制信号读取所述计算出的物理页地址对应的数据；通过错误校验码对所述读取出的所述物理页地址对应的数据进行验证并纠错，在所述纠错失败时，则得出所述物理页地址对应的数据出错；将所述数据出错的物理页地址对应的物理地址记录在已经出错的用户数据中；如果通过ECC校验方式，发现闪存的物理页发生错误，并无法纠错时，将RAM中出错的物理页数据的前预设数值的字节修改为该出错物理页的地址，并在后续的字节记录为数据出错的类型；将所述出错的物理地址和所述已经出错的用户数据一同发送到上位机；控制所述上位机对所述已经出错的用户数据和原数据进行比较，比较出错数据是否满足出错标记，在所述出错数据满足出错标记时，从所述已经出错的用户数据的预设位置上的数据立即得出出错数据对应的物理页地址。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 深圳市德明利技术股份有限公司 一种对闪存出错物理地址的标记方法和装置以及设备

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