申请/专利权人：爱思开海力士有限公司

申请日：2023-09-04

公开（公告）日：2024-04-16

公开（公告）号：CN117894789A

主分类号：H01L23/544

分类号：H01L23/544;H01L23/00;G03F9/00

优先权：["20221014 KR 10-2022-0132755"]

专利状态码：在审-公开

法律状态：2024.04.16#公开

摘要：本发明涉及一种半导体晶圆。在实施例中，半导体晶圆包括：对准标记结构，该对准标记结构被设置在衬底之上，接触图案层，该接触图案层被设置在对准标记结构上而从对准标记结构向上延伸，以及绝缘层，该绝缘层在衬底之上与对准标记结构和接触图案层接触。

主权项：1.一种半导体晶圆，包括：对准标记结构，所述对准标记结构被设置在衬底之上；接触图案层，所述接触图案层被设置在所述对准标记结构上，从所述对准标记结构向上延伸；以及绝缘层，所述绝缘层在所述衬底之上与所述对准标记结构和所述接触图案层接触。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 爱思开海力士有限公司 包括对准标记图案层的半导体晶圆

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