申请/专利权人：浙江水利水电学院

申请日：2023-06-01

公开（公告）日：2023-11-17

公开（公告）号：CN220040252U

主分类号：G01N21/41

分类号：G01N21/41;G01B11/06

优先权：

专利状态码：有效-授权

法律状态：2023.11.17#授权

摘要：本申请提供了一种基于Fano共振的薄膜传感器，涉及纳米材料检测的技术领域，所述传感器包括基底层和金属层，所述金属层设置在基底层的顶部，所述金属层的中下位置设置有均匀宽度的波导沟，所述波导沟带有左右对称的短波，所述金属层上设置有环形谐振腔，所述短波位于波导沟朝向环形谐振腔的一侧，所述环形谐振腔内接Z型结构，所述传感器除去Z型结构其余部分左右对称，所述Z型结构关于环形谐振腔的圆心中心对称。本实用新型通过在波导沟和环形谐振腔内放入薄膜，检测薄膜的厚度，相对目前较为成熟各种纳米级别测量厚度的仪器，成本低廉，技术原理简单，可在纳米材料领域、光学领域等广泛应用。

主权项：1.一种基于Fano共振的薄膜传感器，其特征在于，所述传感器包括基底层1和金属层2，所述金属层2设置在基底层1的顶部，所述金属层2的中下位置设置有均匀宽度的波导沟3，所述波导沟3带有左右对称的短波4，所述金属层2上设置有环形谐振腔5，所述短波4位于波导沟3朝向环形谐振腔5的一侧，所述环形谐振腔5内接Z型结构，所述传感器除去Z型结构其余部分左右对称，所述Z型结构关于环形谐振腔5的圆心中心对称；所述Z型结构的长边穿过环形谐振腔5的圆心，所述Z型结构的长边与波导沟3呈30-60度夹角，所述Z型结构的两短边在长边两侧，且短边与长边垂直，所述Z型结构的两端过环形谐振腔5平行于波导沟3的直径。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 浙江水利水电学院 一种基于Fano共振的薄膜传感器

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