申请/专利权人：中山大学

申请日：2023-07-14

公开（公告）日：2023-11-24

公开（公告）号：CN117119875A

主分类号：H10N52/01

分类号：H10N52/01;H10N52/85;C30B25/00;C30B29/46;C30B33/00

优先权：

专利状态码：在审-实质审查的生效

法律状态：2023.12.12#实质审查的生效;2023.11.24#公开

摘要：本发明属于材料科学技术领域，涉及非线性霍尔材料技术领域，具体涉及一种基于多层Fe5GeTe2本征特性的非线性霍尔器件及其制备方法。为解决目前具有非线性霍尔效应的材料制备难度高，合成成本高的问题，本发明先合成高质量的Fe5GeTe2单晶，然后利用机械剥离法将块体单晶劈裂为多层，并将其制作成霍尔器件，使用锁相放大器首次发现Fe5GeTe2中具有本征非线性霍尔现象，由此得到一种基于多层Fe5GeTe2本征特性的非线性霍尔器件。本发明在一种易制备且能晶圆级生长的材料Fe5GeTe2中首次观测到了室温非线性霍尔效应，并制作了非线性霍尔器件进行了测试，对日后非线性霍尔器件的大规模应用提供了新的途径。

主权项：1.一种基于多层Fe5GeTe2本征特性的非线性霍尔器件的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：S1、按照Fe：Ge：Te＝5：1：2的原子比量取三种单质，再加入I2单质，然后将混合物置于真空环境中于700-800℃次数保温10-15天，冷却至室温后得到Fe5GeTe2单晶；S2、Fe5GeTe2单晶相继经过低粘度蓝色胶带、PDMS薄膜、硅片剥离后，将其转移至硅片上；S3、对含有Fe5GeTe2单晶的硅片进行光刻曝光显影后得到电极图案，再于图案位置搭建电极，即成功制备Fe5GeTe2非线性霍尔器件。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 中山大学 一种基于多层Fe₅GeTe₂本征特性的非线性霍尔器件及其制备方法

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