申请/专利权人：南京理工大学

申请日：2023-08-16

公开（公告）日：2023-12-01

公开（公告）号：CN117144295A

主分类号：C23C14/16

分类号：C23C14/16;C23C14/06;C23C14/35;B23B27/14

优先权：

专利状态码：在审-实质审查的生效

法律状态：2023.12.19#实质审查的生效;2023.12.01#公开

摘要：本发明属于涂层领域，具体涉及一种TaB2‑Ta复合涂层及其制备方法。包括如下步骤：S1基底的预处理：将基底材料抛光后清洗得到预处理基底；S2预溅射处理：将基底和靶材进行预溅射处理，所述靶材为热压烧结TaB2陶瓷靶；S3Ta过渡层的沉积：采用直流磁控溅射的方法在基底上沉积Ta过渡层，得到具有Ta过渡层的基底材料，直流磁控溅射的基体偏压为‑180V～‑240V；S4TaB2硬质保护层的沉积：采用直流脉冲磁控溅射，在具有Ta过渡层的基底上沉积二硼化钽复合靶材，得到TaB2硬质保护层，从而得到TaB2Ta复合涂层结构，直流脉冲磁控溅射的氩气流量控制在60‑65sccm，基体偏压在‑180V～‑240V。本发明的涂层表现出间隙固溶结构、超高硬度、光滑的表面形貌、优异的划痕韧性和摩擦学行为。

主权项：1.一种TaB2-Ta复合涂层的制备方法，其特征在于，包括如下步骤：S1：基底的预处理：将基底材料抛光后清洗得到预处理基底；S2：预溅射处理：将基底和靶材进行预溅射处理，所述靶材为热压烧结TaB2陶瓷靶；S3：Ta过渡层的沉积：采用直流磁控溅射的方法在基底上沉积Ta过渡层，得到具有Ta过渡层的基底材料，直流磁控溅射的基体偏压为-180V～-240V；S4：TaB2硬质保护层的沉积：采用直流脉冲磁控溅射，在具有Ta过渡层的基底上沉积二硼化钽复合靶材，得到TaB2硬质保护层，从而得到TaB2Ta复合涂层结构，其中直流脉冲磁控溅射的氩气流量控制在60-65sccm，基体偏压在-180V～-240V。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 南京理工大学 一种TaB₂-Ta复合涂层及其制备方法

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