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【发明公布】一种基于500um深度空心通孔的三维堆叠用硅基转接板及其制造方法_苏州泰莱微波技术有限公司_202311115911.4 

申请/专利权人:苏州泰莱微波技术有限公司

申请日:2023-08-31

公开(公告)日:2023-12-01

公开(公告)号:CN117153819A

主分类号:H01L23/538

分类号:H01L23/538;H01L21/768

优先权:

专利状态码:在审-实质审查的生效

法律状态:2023.12.19#实质审查的生效;2023.12.01#公开

摘要:本发明提出了一种易于实现的一种基于500um深度空心通孔的三维堆叠用硅基转接板的制作方法和工艺流程。所述硅基转接板的下表面制造了金凸点植球的焊盘,与常规工艺相比本发明对焊盘进行了镀金加厚,从而增加通过金凸点实现垂直堆叠的强度与可靠性。所述的硅基转接板背面刻蚀形成深度为200‑400um的腔体,常规工艺通常要对该腔体进行金属化,而本发明研究发现若对腔体表面进行金属化则会对射频性能产生较大的影响与恶化。在本发明中的空腔为非金属化腔体,并通过分析得出该非金属化腔体用于射频集成时性能最优,且由于不需要对腔体表面进行金属化处理,进一步节省了工艺流程以及成本。

主权项:1.一种基于500um深度空心通孔的三维堆叠用硅基转接板,其特征在于,包括:硅基转接板(1),500um深度空心通孔(2),垂直同轴结构(3),镀金加厚焊盘(4),硅基载板(5),金凸点(6),重新布线层(7),非金属化腔体区域(8),射频芯片(9),所述的硅基载板(5)与垂直同轴结构(3)及重新布线层(7)构成三维堆叠状。

全文数据:

权利要求:

百度查询: 苏州泰莱微波技术有限公司 一种基于500um深度空心通孔的三维堆叠用硅基转接板及其制造方法

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